Kristalle oder kristalline Schichten mit Eigenschaften herzustellen, wie sie von den Anwendungen gefordert werden, setzt eine umfassende strukturelle, elektrische und optische Charakterisierung der hergestellten Materialien – von der Makroskala bis hinunter auf die atomare Ebene – voraus. Nur dadurch ist es möglich, den Zusammenhang zwischen Kristalleigenschaften und Herstellungsbedingungen aufzuklären.

Wir setzen dazu unterschiedlichste Methoden ein: Angefangen von Untersuchungen an Defekt-geätzten Proben im Lichtmikroskop, über Lebensdauer- und Widerstandsmappings kompletter Wafer, bis hin zu spezielleren Analytikmethoden, wie zum Beispiel die Elementanalyse mit einem großflächigen Energiedispersiven Röntgendetektor am Rasterelektronenmikroskop oder Kathodolumineszenzuntersuchungen am Transmissionselektronenmikroskop, um nur einige wenige Beispiel zu nennen.

Darüber hinaus entwickeln wir neue Messmethoden für die strukturelle, elektrische und optische Charakterisierung von Kristallen, Wafern und Schichten.