Leistungselektronische Bauelemente aus Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN) besitzen gegenüber konventionellen Bauelementen auf Siliziumbasis ein hohes Potential zur Verbesserung der Energieeffizienz. Jedoch ist die Herstellung dieser Materialien nach wie vor schwierig und mit dem Auftreten einer Reihe von Kristallfehlern verbunden, die die Leistungsfähigkeit und die Zuverlässigkeit von Bauelementen aus diesen Materialien negativ beeinflussen.

Wir untersuchen, wie sich diese schädlichen Kristallfehler, die vom Substrat oder während der Epitaxie in das Material gelangen können, vermeiden lassen.

Auf dem Gebiet der Detektor- und Laserkristalle für die Hochenergiephysik, Erderkundung, Sicherheits- und Medizintechnik besteht ein großer Bedarf nach neuen Materialien zur Erzeugung und Detektion energiereicher Strahlung. Wir haben – aufbauend auf unsere Erfahrungen in der Züchtung von optischen Kristallen – mit der Entwicklung der technologischen Grundlagen zur Herstellung spezieller Detektor- und Laserkristalle begonnen, um das Marktpotential dieser neuen Materialien bzw. der neuen Herstellungsverfahren bewerten zu können.