Zur Charakterisierung einzelner Schichten, Schichtsysteme sowie elektronischer Bauelemente stehen eine Vielzahl physikalischer Analyseverfahren wie REM, TEM, EDX, XPS, SNMS SPM (AFM Topo­graphie, SSRM, SCM,c-AFM, TUNA) zur Verfügung. Ferner besteht die Möglichkeit zur Schalt­kreis­modifizierung mittels fokussierter Ionenstrahlen (FIB), die beispielsweise die nachträgliche Änderung eines fehlerhaften Schaltungsentwurfs erlaubt. Verfahren zur Bestimmung der Ladungs­träger­lebens­dauer bzw. Diffusionslänge (Elymat, µ-PCD, SPV) und DLTS-Systeme ermöglichen die Kontaminations­kontrolle und Identifikation elektrisch aktiver Defekte. Im Bereich der Nanostrukturierung kann auf FIB- und UV-NIL (UV-Nanoimprintlithographie)-Systeme zurückgegriffen werden.