Nutzergruppe Heißprozesse und RTP
Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB
Heißprozesse und RTP
Die Nutzergruppe Heißprozesse und RTP ging aus der Nutzergruppe Ionenimplantation hervor. Seither werden die beiden Treffen an zwei aufeinander folgenden Tagen durchgeführt. Am Nachmittag des ersten Tages findet das Nutzertreffen Heißprozesse und RTP statt.
Das Ziel dieser Veranstaltung ist, ein offenes Forum für Diskussionen aller Heißprozess- und RTP-Nutzer zu schaffen und einen Erfahrungsaustausch zwischen den Nutzern und den Herstellern von Heißprozess- und RTP-Anlagen zu ermöglichen. Für die Interessenten ist die Teilnahme kostenlos. Beiträge in Form von Kurzvorträgen oder Vorstellungen von Problemen sind jederzeit willkommen. Hierbei wird auf aktuelle Probleme oder anwenderspezifische Neuerungen besonders eingegangen. Im Anschluß an das Treffen können bei einem gemeinsamen Abendessen, zusammen mit den Herstellern von Heißprozess- und RTP-Anlagen und Teilnehmern der Nutzergruppe Ionenimplantation, weitere Probleme diskutiert werden.
Das erste Treffen fand am 26. April 1996 in Bochum statt. Die Gruppe trifft sich zweimal im Jahr, im Frühjahr und im Herbst.
Die Veranstaltungen der Nutzergruppe Heißprozesse und RTP werden gemeinsam von der ITG-Fachgruppe 8.1.2 und der GMM-Fachgruppe 1.2.4 organisiert.
Vergangene Treffen
| Treffen am 21. März 2012 |
| Treffen am 23. November 2011 |
| Treffen am 12. Mai 2011 |
| Treffen am 10. November 2010 |
| Treffen am 5. Mai 2010 |
| Treffen am 12. November 2009 |
| Treffen am 7. Mai 2009 |
| Treffen am 23. Oktober 2008 |
| Treffen am 8. Mai 2008 |
| Treffen am 8. November 2007 |
| Treffen am 10. Mai 2007 |
| Treffen am 23. November 2006 |
| Treffen am 18. Mai 2006 |
| Treffen am 10. November 2005 |
| Treffen am 12. Mai 2005 |
| Treffen am 13. Mai 2004 |
| Treffen am 27. November 2003 |
| Treffen am 15. Mai 2003 |
| Treffen am 7. November 2002 |
| Treffen am 25. April 2002 |
| Treffen am 15. November 2001 |
| Treffen am 10. Mai 2001 |
Schwerpunkte der Heißprozesse- und RTP-Nutzer-Treffen
Prozessrelevante Aspekte:
- Oxidation und Diffusion
- RTP, Spike-, Flash- und Laserannealing
- LPCVD, MOCVD und ALP-Prozesse
- Ausheilung von Implantationsschäden und Aktivierung von Dotieratomen
- High-k Dielektrika
- Metallelektroden- und Barrierenherstellung mittels CVD/ALD
- Silicide
- Verdichten von CVD-Oxiden
- Heißprozesse für Solarzellen, Flat Panel Displays, Leistungselektronik, III-V, II-VI und andere Halbleiter
- Prozesssimulation Heißprozesse und RTP
Technische Aspekte:
- Spezifikationen und Roadmaps
- Temperaturkontrolle, -homogenität und -messung
- Anlagenkontrolle und -optimierung
- Neue Anlagen, Weiterentwicklungen und Trends
- Charakterisierungsmethoden und Analytik zu Heißprozesse und RTP
- Heißprozesse- und RTP-Einsatz in Volumenproduktion (Durchsatz, wirtschaftliche Gesichtspunkte ...)
- Simulation zur Reaktorgeometrie, Gasfluß und Temperaturverteilung