Diffusionsprozesse, wie sie in der Halbleitertechnologie auftreten, werden von uns sowohl theoretisch als auch experimentell untersucht. Ziel ist es dabei, die Möglichkeiten zur Charakterisierung und Optimierung der Prozesse durch Simulation zu verbessern. Wir entwickeln Modelle und bestimmen die für die Prozeßsimulation erforderlichen Parameter. Beispiele für unsere Forschungsaktivitäten sind die Untersuchung der Diffusion in Mehrschichtstrukturen, der elektrischen Aktivierung von Dotieratomen, Messungen von Leerstellenkonzentrationen in Siliciumscheiben mittels Platindiffusion und DLTS und theoretische Arbeiten zu Diffusionsmechanismen.

Wir arbeiten an der Entwicklung und Anwendung von Simulationsprogrammen zur Vorhersage von Dotierstoffkonzentrationen wie sie sich nach Implantationsschritten ergeben. Weiterhin simulieren wir die elektrischen Eigenschaften von Bauelementen: Wir können berechnen, wie sich Änderungen im Technologieablauf auf das Bauelementeverhalten auswirken und wie die Prozesse optimiert werden können. Wir bauen dazu auf unseren umfangreichen Erfahrungen im Anwenden der entsprechenden Simulatoren auf und können gezielt auf Ihre Fragestellungen eingehen.