Technologiesimulation

Dotierung

Topographie

Lithographie

   
Dotierung

Diffusionsprozesse, wie sie in der Halbleitertechnologie auftreten, werden von uns sowohl theoretisch als auch experimentell untersucht. Ziel ist es dabei, die Möglichkeiten zur Charakterisierung und Optimierung der Prozesse durch Simulation zu verbessern. Wir entwickeln Modelle und bestimmen die für die Prozeßsimulation erforderlichen Parameter. Beispiele für unsere Forschungsaktivitäten sind die Untersuchung der Diffusion in Mehrschichtstrukturen, der elektrischen Aktivierung von Dotieratomen, Messungen von Leerstellenkonzentrationen in Siliciumscheiben mittels Platindiffusion und DLTS und theoretische Arbeiten zu Diffusionsmechanismen.

Wir arbeiten an der Entwicklung und Anwendung von Simulationsprogrammen zur Vorhersage von Dotierstoffkonzentrationen wie sie sich nach Implantationsschritten ergeben. Weiterhin simulieren wir die elektrischen Eigenschaften von Bauelementen: Wir können berechnen, wie sich Änderungen im Technologieablauf auf das Bauelementeverhalten auswirken und wie die Prozesse optimiert werden können. Wir bauen dazu auf unseren umfangreichen Erfahrungen im Anwenden der entsprechenden Simulatoren auf und können gezielt auf Ihre Fragestellungen eingehen.

Produktblatt Dotierungs-Simulation
IST Projekt FRENDTECH zur Entwicklung von Modellen für die Simulation von Front-End Prozessen (abgeschlossen)
IST Projekt ATOMICS zur fortschrittlichen Front-end-Technologie-Modellierung für höchstintegrierte Schaltungen
Bauelemente- und Interconnect-Simulation im Projekt NanoCMOS
Alternative Source/Drain Contact Pad Architectures for Contact Resistance Improvement in Decanano-Scaled Devices
Pre-Silicon SPICE Modeling of Nano-Scaled SOI MOSFETs

Ansprechpartner:
Priv.-Doz. Dr. Peter Pichler
Tel.: 09131 / 761-227
Fax: 09131 / 761-212

 
Topographie

Wir beschäftigen uns mit der Erstellung und Anwendung von Simulationsprogrammen für topographische Schritte (Ätzen, Schichtabscheidung, chemisch-mechanisches Polieren), wie sie in der Halbleitertechnologie auftreten. Dies beinhaltet die physikalische und chemische Modellierung sowohl auf Bauelemente-Skala als auch auf der Ebene der entsprechenden Fertigungsgeräte, z.B. Abscheideöfen oder Ätzreaktoren. Weiterhin integrieren wir die Software mit anderen Prozess-Simulations-Programmen und mit Simulatoren zur Beschreibung des elektrischen Verhaltens.

Präsentation Topogaphie-Simulation
Produktblatt Topographie-Simulation
Veröffentlichungen
Ätz-Simulator ANETCH
Interconnect-Simulation
Gekoppelte Bauelemente- und Interconnect-Simulation
EU-Projekt MD3 (Material Development for Double exposure and Double patterning)

Ansprechpartner:
Dr. Eberhard Bär
Tel.: 09131 / 761-217
Fax: 09131 / 761-212

 
Lithographie

Die Gruppe "Lithographie" entwickelt physikalisch/chemische Modelle, numerische Algorithmen und Software für die Simulation lithographischer Prozesse. Die entwickelte Software umfaßt Module zur Simulation der Prozeßschritte Pre-Bake, Belichtung, Post-Exposure Bake und chemische Entwicklung des Photolacks. Die entwickelten Algorithmen für die Lithographiesimulation stehen in der Software Dr.LiTHO des Fraunhofer IISB zur Verfügung. Zusätzliche Module von Dr.LiTHO unterstützen die Bewertung und Optimierung lithographischer Prozesse bzw. erlauben die Simulation alternativer Belichtungstechniken (z.B. interferometrische Belichtungen). Neben der Modell- und Softwareentwicklung bietet die Lithographiegruppe für industrielle und akademische Partner Unterstützung bei der Prozeßentwicklung und bei Machbarkeitsstudien an.

Aktuelle Schwerpunkte der Forschungs- und Enwicklungstätigkeit der Gruppe "Lithographie" umfassen:

  • Rigorose Simulation der Lichtbeugung von fortschrittlichen Masken, einschließlich defektfreier und defektbehafteter Masken für die EUV-Lithographie.
  • Modellierung chemisch verstärkter Photolacke, einschließlich Modellkalibrierung mit Hilfe lokaler und globaler Optimierer.
  • Bewertung und Optimierung der lithographischen Abbildung, Optimierung von Masken und Beleuchtung durch genetische Algorithmen.
Produktblatt Lithographie-Simulation, Dr.LiTHO
Weitere Informationen zu unseren Aktivitäten
EU-Projekt MD3 (Material Development for Double exposure and Double patterning)

Ansprechpartner:
Dr. Andreas Erdmann
Tel.: 09131 / 761-258
Fax: 09131 / 761-212



Linking Policy   © 2008
Fraunhofer-Gesellschaft