Dotierung
Topographie
Lithographie
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Dotierung
Diffusionsprozesse, wie sie in der Halbleitertechnologie auftreten, werden
von uns sowohl theoretisch als auch experimentell untersucht. Ziel ist es
dabei, die Möglichkeiten zur Charakterisierung und Optimierung der Prozesse
durch Simulation zu verbessern. Wir entwickeln Modelle und bestimmen die für
die Prozeßsimulation erforderlichen Parameter. Beispiele für unsere
Forschungsaktivitäten sind die Untersuchung der Diffusion in
Mehrschichtstrukturen, der elektrischen Aktivierung von Dotieratomen,
Messungen von Leerstellenkonzentrationen in Siliciumscheiben mittels
Platindiffusion und DLTS und theoretische Arbeiten zu Diffusionsmechanismen.
Wir arbeiten an der Entwicklung und Anwendung von
Simulationsprogrammen zur Vorhersage von Dotierstoffkonzentrationen wie sie
sich nach Implantationsschritten ergeben. Weiterhin simulieren
wir die elektrischen Eigenschaften von Bauelementen: Wir können berechnen,
wie sich Änderungen im Technologieablauf auf das Bauelementeverhalten
auswirken und wie die Prozesse optimiert werden können. Wir bauen dazu auf
unseren umfangreichen Erfahrungen im Anwenden der entsprechenden Simulatoren
auf und können gezielt auf Ihre Fragestellungen eingehen.
Ansprechpartner:
Priv.-Doz. Dr. Peter Pichler
Tel.: 09131 / 761-227
Fax: 09131 / 761-212
Topographie
Wir beschäftigen uns mit der Erstellung und Anwendung von
Simulationsprogrammen für topographische Schritte (Ätzen,
Schichtabscheidung, chemisch-mechanisches Polieren),
wie sie in der Halbleitertechnologie auftreten. Dies beinhaltet die
physikalische
und chemische Modellierung sowohl auf Bauelemente-Skala als auch auf der Ebene
der entsprechenden Fertigungsgeräte, z.B. Abscheideöfen oder Ätzreaktoren.
Weiterhin integrieren wir die Software mit anderen Prozess-Simulations-Programmen und mit
Simulatoren zur Beschreibung des elektrischen Verhaltens.
Ansprechpartner:
Dr. Eberhard Bär
Tel.: 09131 / 761-217
Fax: 09131 / 761-212
Lithographie
Die Gruppe "Lithographie" entwickelt physikalisch/chemische Modelle, numerische Algorithmen und Software für die Simulation lithographischer Prozesse. Die entwickelte Software umfaßt Module zur Simulation der Prozeßschritte Pre-Bake, Belichtung, Post-Exposure Bake und chemische Entwicklung des Photolacks.
Die entwickelten Algorithmen für die Lithographiesimulation stehen in der
Software Dr.LiTHO des Fraunhofer IISB zur Verfügung.
Zusätzliche Module von Dr.LiTHO unterstützen die Bewertung und Optimierung lithographischer Prozesse bzw. erlauben die Simulation alternativer Belichtungstechniken (z.B. interferometrische Belichtungen). Neben der Modell- und Softwareentwicklung bietet die Lithographiegruppe für industrielle und akademische Partner Unterstützung bei der Prozeßentwicklung und bei Machbarkeitsstudien an.
Aktuelle Schwerpunkte der Forschungs- und Enwicklungstätigkeit der Gruppe "Lithographie" umfassen:
- Rigorose Simulation der Lichtbeugung von fortschrittlichen Masken, einschließlich defektfreier und defektbehafteter Masken für die EUV-Lithographie.
- Modellierung chemisch verstärkter Photolacke, einschließlich Modellkalibrierung mit Hilfe lokaler und globaler Optimierer.
- Bewertung und Optimierung der lithographischen Abbildung, Optimierung von Masken und Beleuchtung durch genetische Algorithmen.
Ansprechpartner:
Dr. Andreas Erdmann
Tel.: 09131 / 761-258
Fax: 09131 / 761-212
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