Herausforderungen

• Reduzierung der Waferdicke
• Reduzierung der Sägespaltbreite durch Verringerung des Drahtdurchmessers
• Verbesserung der Wafergeometrie
• Reduzierung der Oberflächenschädigung

Zielstellungen

• Weiterentwicklung Vieldrahtsägeprozess
• Entwicklung neuer Abrasivstoffe (Slurry) und Drähte
• Entwicklung Modellsäge (Variation der Sägeparameter)
• Erprobung neuer Reinigungsverfahren drahtgesägter Wafer
• Chemo-mechanische Bearbeitung von Halbleiteroberflächen (Si, Ge, III-V)
• Entwicklung eines Poliermodellstandes
• Charakterisierung von Hilfsstoffen bei Säge- und Polierprozessen (Slurry, Tücher, Viskosität, Abnutzung, etc.)
• Oberflächencharakterisierung (Morphologie und Rauheit)