Pressemitteilungen

Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB

Pressemitteilungen Fraunhofer IISB:

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  • Bezahlbare Hochwirkungsgrad-Solarzellen mit hochqualitativem n-Typ-Blocksilizium

    Textmeldung 10.4.2013 

    Kristallzüchter des Fraunhofer IISB in Erlangen erforschen im Verbundprojekt HENSi kostengünstiges n-Typ-Blocksilizium mit reduzierter Defektdichte und homogener Widerstandsverteilung für die Herstellung von Hocheffizienzsolarzellen.

  • International erfolgreich – Erlanger Doktorandin holt Cymer Award nach Europa

    Textmeldung 20.3.2013 

    Viviana Agudelo Moreno wurde auf der SPIE Advanced Lithography Conference 2013 mit dem „Fourteenth Annual Cymer Scientific Leadership Award“ ausgezeichnet. Mit dem Preis wird der beste Konferenzbeitrag von Doktoranden im Bereich der optischen Lithographie gewürdigt. Viviana Agudelo ist SAOT-Stipendiatin an der Universität Erlangen-Nürnberg und promoviert in der Lithographie-Gruppe des Fraunhofer IISB in Erlangen.

  • Das Stromnetz lernt Energiesparen – Projekt SiC-WinS erforscht Technologien zur Herstellung von SiC-Hochvoltbauelementen

    Textmeldung 12.3.2013 

    Bei Solaranlagen und Serveranwendungen sind energiesparende Wechselrichter bzw. Netzteile mit Halbleiterbauelementen aus Siliziumkarbid (SiC) schon Stand der Technik. Auch Windkraftanlagen und das intelligente Stromnetz der Zukunft könnten durch Hochvoltbauelemente aus SiC deutlich energieeffizienter arbeiten. Im Projekt „SiC-WinS – Technologische Grundlagen zur Herstellung von SiC-Spannungswandlern für intelligente Stromnetze“ forschen Partner aus Wissenschaft und Industrie in Erlangen daran, die Herstellungskosten solcher Bauelemente deutlich zu senken und ihre Zuverlässigkeit bis hin zur „Null-Fehler-Toleranz“ zu verbessern. SiC-WinS wird von der Bayerischen Forschungsstiftung (BFS) gefördert und hat eine Laufzeit von drei Jahren.

  • Staatssekretär Schütte und Fraunhofer-Vorstand Buller überreichen DRIVE-E-Studienpreise

    Textmeldung 7.3.2013 

    Dresden – Im Rahmen einer feierlichen Preisverleihung in der Gläsernen Manufaktur Dresden haben Dr. Georg Schütte, Staatssekretär im Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF), und Prof. Dr. Ulrich Buller, Vorstand Forschungsplanung bei der Fraunhofer-Gesellschaft, gestern die DRIVE-E-Studienpreise an die diesjährigen Preisträger überreicht. Insgesamt wurden vier herausragende Arbeiten junger Nachwuchswissenschaftler aus dem Bereich Elektromobilität ausgezeichnet.

  • DKT-2013 – Kristallexperten aus ganz Deutschland in Erlangen zu Gast

    Textmeldung 6.3.2013 

    Etwa 150 deutsche Fachleute aus Wirtschaft und Wissenschaft treffen sich vom 6. – 8. März zur Deutschen Kristallzüchtungstagung DKT-2013 in Erlangen. Die Kristall- Experten diskutieren neuste Forschungsergebnisse zur Herstellung von Kristallen und dünnen kristallinen Schichten. Die DKT-2013 steht unter der Schirmherrschaft der Deutschen Gesellschaft für Kristallwachstum und Kristallzüchtung e.V. (DGKK) und wird gemeinsam vom Lehrstuhl für Materialien für Elektronik und Energietechnologien i-MEET der Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg und dem Fraunhofer- Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB organisiert. Auf der DKT-2013 werden auch der Preis der DGKK sowie der Nachwuchsforscherpreis der DGKK verliehen.

  • Leistungselektronik für den Netzausbau – Neuartige Aufbau- und Prüftechnik für extrem langlebige Hochspannungsmodule

    Textmeldung 19.2.2013 

    Der Isoliersubstrathersteller curamik electronics GmbH und das Fraunhofer Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB erforschen im Förderprojekt „APEx“, wie sich die Zuverlässigkeit von Leistungsmodulen durch innovative Aufbautechnik verbessern lässt. Das bis Oktober 2014 laufende Projekt wird vom Bundesmi-nisterium für Bildung und Forschung (BMBF) gefördert und am Fraunhofer IISB koordiniert.

  • Bewerbungscountdown für DRIVE-E 2013

    Nachwuchsprogramm Elektromobilität: Noch bis zum 7. Januar 2013 können sich Studierende für die DRIVE-E-Akademie und den DRIVE-E-Studienpreis bewerben.

    Textmeldung 18.12.2012 

    Erlangen/Bonn/Berlin/Dresden, Dezember 2012 – Nur noch bis zum 7. Januar 2013, 12 Uhr MEZ, können sich Interessierte für die vierte Auflage des DRIVE-E-Programms bewerben. Dann endet die Bewerbungsfrist für das vom Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF) und der Fraunhofer-Gesellschaft gemeinsam initiierte Nachwuchsprogramm im Bereich Elektromobilität. Die DRIVE-E-Akademie 2013 findet vom 4. bis 8. März 2013 in Dresden statt. Mit dem DRIVE-E-Studienpreis zeichnen die Veranstalter herausragende studentische Arbeiten zum Thema Elektromobilität aus. Er wird im Rahmen einer Festveranstaltung als Höhepunkt der Akademie am 6. März 2013 in der Elbmetropole verliehen.

  • Ein starkes Netzwerk für die Elektromobilität von morgen

    Hamburg: Erstes DRIVE-E-Alumni-Meeting mit über 50 Teilnehmern aus ganz Deutschland

    Textmitteilung 12.12.2012 

    Hamburg – Mehr als 50 ehemalige Teilnehmerinnen und Teilnehmer des Elektromo-bilitäts-Nachwuchsförderprogramms DRIVE-E trafen sich am 7. Dezember 2012 in Hamburg zum ersten DRIVE-E-Alumni-Meeting. Das vom Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF) und der Fraunhofer-Gesellschaft gemeinsam initiier-te Programm ist vor allem dank seines Netzwerks von jungen Talenten und Experten aus Wirtschaft und Forschung ein hervorragendes Karrieresprungbrett in diesem Be-reich. So stand beim DRIVE-E-Alumni-Meeting neben Vorträgen und Workshops zu verschiedenen Aspekten der Elektromobilität und dem Testen von Elektrofahrzeugen der Austausch untereinander im Vordergrund.

  • Maßgeschneiderte Substrate für energieeffiziente Wide-Bandgap-Bauelemente

    14. Jahrestagung des Fraunhofer IISB elektrisiert die Halbleitermaterial-Szene

    Textmeldung 11.12.2012 

    Etwa 40% des weltweiten Energiebedarfs gehen auf die Nutzung elektrischer Energie zurück. Durch den Einsatz moderner Elektronik können hier beträchtliche Einsparpotenziale realisiert werden. Im Vergleich zur etablierten Siliziumtechnologie lassen sich auf Basis von Halbleitern mit großer Bandlücke besonders effiziente elektronische Bauelemente und Schaltungen herstellen. Beispiele dafür sind Strom sparende Beleuchtungen mit Galliumnitrid-LEDs, Wechselrichter für Solar- und Windkraftanlagen mit Leistungsschaltern aus Siliziumkarbid oder die energiesparende Erzeugung von UV-Licht mit Bauelementen aus Aluminiumnitrid.

  • European Research Consortium to Develop Simulation Tools Minimizing the Impact of Process Variations on Microelectronic Chips

    Advanced Simulation Tools to Fight Microchip Variations

    Text message 13.11.2012 

    Process, device, and circuit simulation tools are essential in reducing time to market and the cost of new microchip technology development, delivering faster computers, better consumer products and fueling the digital economy. The International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS) estimates that the use of such tools reduces chip development times and costs by about 40%. Advanced semiconductor devices and circuits are increasingly affected by different kinds of variations which occur during the process of chip fabrication. Within the European project SUPERTHEME, a tool chain for the simulation of the impact of process variations on the devices, circuits and systems fabricated will be developed. This will allow the global semiconductor industry to minimize the detrimental effects of such variations on chips used e.g. in computers, tablets and mobile phones.

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