Pressemitteilungen

Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB

Pressemitteilungen Fraunhofer IISB:

Zeitraum

Datepicker
Datepicker

Zurücksetzen

Seite:

  • Elektronik für die Energieversorgung: Strategische Kooperation zwischen Siemens und Fraunhofer IISB

    Siemens und das Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB arbeiten künftig auf dem Gebiet der elektrischen Energiever-sorgung zusammen. Gemeinsam sollen neue Lösungen für die Energieumwandlung im Nieder- und Mittelspannungsbereich mit Hilfe der Multi-Level-Technologie gefunden werden. Die Forschungskooperation erweitert den Campus „Future Energy Systems“ in Erlangen und unterstreicht die Bedeutung des Standorts als nationales Leistungszentrum für Elektroniksysteme.

  • Neues Anlagenkonzept für die Galliumnitrid-Herstellung

    Galliumnitrid (GaN) gilt als Halbleitermaterial der Zukunft. Doch noch ist die Herstellung sehr teuer. Gemeinsam mit Forschern aus der Industrie haben Wissenschaftler vom Fraunhofer THM in Freiberg ein neues Anlagenkonzept entwickelt, welches die Herstellungskosten von GaN deutlich senkt. Damit ergeben sich Chancen auf neue Arbeitsplätze am Halbleiterstandort Freiberg.

  • DRIVE-E startet in eine neue Runde – DRIVE-E-Akademie 2015 in Erlangen

    Ab sofort können sich Studierende für den DRIVE-E-Studienpreis sowie die DRIVE-E-Akademie 2015 in der Metropolregion Nürnberg bewerben. Die Teil-nehmerinnen und Teilnehmer erwartet eine spannende Akademiewoche mit Vorträgen, Workshops, Networking und Exkursionen rund um die Elektromobi-lität. Höhepunkt ist die Verleihung der DRIVE-E-Studienpreise für herausragen-de studentische Arbeiten zum Thema.

  • AIXTRON partners with Fraunhofer IISB to enhance Silicon Carbide production technology

    AIXTRON, a leading provider of deposition equipment to the semiconductor industry, has teamed up with research institution Fraunhofer IISB (Institute for Integrated Systems and Device Technology) in Erlangen, Germany, to develop 150 mm Silicon Carbide (SiC) epitaxy processes using the new AIXTRON 8 x 150 mm G5WW Vapor Phase Epitaxy (VPE) system. AIXTRON’s Planetary Reactor® tool will be installed at the IISB cleanroom laboratory in the fourth quarter of 2014.

  • Elektroautos effizient induktiv laden

  • Preisgekrönte Forschung an multikristallinen Siliziumwafern

    Auf der E-MRS-Tagung 2014 in Lille wurde Herr Toni Lehmann vom Fraunhofer THM in Freiberg mit dem „E-MRS Symposium W Graduate Student Award“ ausgezeichnet. Der Wissenschaftler konnte zeigen, dass bei bestimmten Gefügeeigenschaften von multikristallinen Siliziumwafern nur noch 1% der Waferoberfläche so genannte Versetzungscluster beinhaltet. Bei multikristallinen Standardwafern hingegen beträgt der Flächenanteil mit diesen schädlichen Kristallfehlern mehr als 10%. Mit seinen Forschungsergebnissen liefert Herr Lehmann wichtige Erkenntnisse darüber, in welche Richtung sich der industrielle Herstellungsprozess für multikristalline Siliziumwafer künftig entwickeln sollte. Mit einem derartig optimierten Siliziummaterial lassen sich Solarzellen mit noch höheren Wirkungsgraden herstellen und damit auch die Kosten für die Erzeugung von Photovoltaikstrom weiter senken.

  • Improved quality control of silicon carbide epiwafers by a new fast and contactless inline inspection tool

    A new fast and contactless Defect Luminescence Scanner (DLS) for photoluminescence imaging of 4H-SiC epiwafers was developed under coordination of Fraunhofer IISB together with Intego GmbH. This DLS system enables a more efficient optimization of the production process of SiC epiwafers as well as an inline quality control along the device production chain. This will contribute to cost reduction in material and device production, and helps accelerating the further commercialization of SiC power devices.

  • BMBF-Staatssekretär Stefan Müller informiert sich am Fraunhofer IISB über Elektroniksysteme für die Energieversorgung

    Stefan Müller, Parlamentarischer Staatssekretär bei der Bundesministerin für Bildung und Forschung, hat sich bei einem Besuch am Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB am 15. Mai 2014 in Erlangen über die neuesten Forschungsentwicklungen zu leistungselektronischen Systemen informiert. Diese sind eine essentielle technische Komponente beim Umbau der Energie-versorgung.

  • Lösungen für lokale Gleichstromnetze – Fraunhofer IISB zeigt Neuheiten auf der PCIM Europe 2014

    Lokale Gleichstromnetze in Gebäuden oder Industrieanlagen können wirksam dazu beitragen, Energie deutlich effizienter zu nutzen. Insbesondere, wenn diese lokal erzeugt und gespeichert wird. Die Entwicklung zukunftsweisender Lösungen für die Gleichstromtechnik ist ein Schwerpunkt des Fraunhofer IISB. Auf der PCIM Europe 2014 in Nürnberg präsentiert das Institut vom 20. – 22. Mai eine breite Palette von leistungselektronischen Innovationen für die Energieversorgung – darunter ein 200-Kilowatt-DC/DC-Wandler mit einer Leistungsdichte von über 140 Kilowatt pro Liter.

  • Elektroniksysteme für die Netze von morgen

Seite: