Etwa 170 Experten aus Wirtschaft und Wissenschaft fanden sich vom 16. bis 18. März 2016 im Görgesbau der TU Dresden zur DKT2016 / GCCCG-1 ein, um die neuesten Forschungsergebnisse zur Herstellung von Kristallen und von dünnen kristallinen Schichten mit speziellen physikalischen Eigenschaften auszutauschen und zu diskutieren. Die Entwicklung neuer Kristalle bzw. kristalliner Schichten eröffnet zahlreiche neue Anwendungsmöglichkeiten in der Informations- und Kommunikationstechnik, wie z.B. energieeffizientere elektrische Antriebslösungen, verlustärmere Stromleitungen, energiesparende Beleuchtungskonzepte, die preisgünstigere Erzeugung und Einbindung regenerativer Energien oder innovative Verfahren in der Fertigungs-, Prüf- und Medizintechnik. Für diese Märkte spielen sowohl Halbleitermaterialien wie Silizium, Galliumarsenid, Siliziumkarbid und Galliumnitrid als auch oxidische Kristallmaterialien eine große Rolle. Die Herstellung derartiger Kristalle nennt man „Kristallzüchtung“ und deren künstlich bedingte Größenzunahme „Kristallwachstum“. Unter der Schirmherrschaft der Deutschen Gesellschaft für Kristallwachstum und Kristallzüchtung e.V. (DGKK) wurde die DKT2016 / GCCCG-1 gemeinsam mit der Czechoslovak Association of Crystal Growth (CSACG) durchgeführt.

Ein Schwerpunkt der DKT2016 / GCCCG-1 lag darin, die Bedeutung der Kristallzüchtung für den Technologiestandort Sachsen zu beleuchten. Vor 100 Jahren erfand Prof. Jan Czochralski das nach ihm benannte Kristallzüchtungsverfahren, bei dem ein Einkristall aus der Schmelze gezogen wird. Heute ist das Czochralski-Verfahren das mit Abstand wichtigste Kristallzüchtungsverfahren. Damit werden vor allem Halbleiterkristalle für die Mikroelektronik und die Photovoltaik, aber auch Oxidkristalle für Laser- und Sensoranwendungen hergestellt. Für den Freistaat Sachsen als weltweit bedeutsamer Mikroelektronikstandort ist das Czochralski-Verfahren eine technologisch wichtige Basis. Ohne die Erfindung von Czochralski würden in Freiberg nicht die Halbleiterkristalle produziert, die in Dresden zu elektronischen Bauelementen weiterverarbeitet werden, und es gäbe weniger Forschungsmöglichkeiten, wie sich Kristall- und Bauelementherstellung verbessern lassen.

Neben über 70 Vorträgen und Posterpräsentationen über aktuelle Forschungsergebnisse bot die DKT2016 dem Fachpublikum eine Industrieausstellung, auf der einschlägige Firmen ihre Innovationen im Bereich der Kristall- und Schichtherstellung vorstellten. Im Rahmenprogramm der Konferenz wurden auch die Forschungspreise der DGKK vergeben. So erhielt Dr. O. Supplie von der TU Ilmenau den DGKK-Preis für Nachwuchswissenschaftler. Durch seine Arbeiten hat Herr Supplie wesentlich zu einem besseren Verständnis der metallorganischen Gasphasenabscheidung von III-V-Halbleitern auf Silizium beigetragen, insbesondere bezüglich der Nukleation der III-V-Verbindungen auf der Siliziumgrenzfläche. Herr J. Erlekampf vom Fraunhofer IISB in Erlangen wurde für seinen Vortrag über die Erhöhung der Ladungsträgerlebensdauer im Halbleitermaterial Siliziumkarbid mit dem DGKK-Best-Paper-Award ausgezeichnet. Die Posterpräsentation über die Volumenkristallzüchtung von Silizium-Germanium-Mischkristallen von Frau S. Weit von der Albert-Ludwigs-Universität Freiburg wurde mit dem DGKK-Best-Poster-Award honoriert.