Unsere Herstellungsprozesse zeichnen sich durch besonders hohe Flexibilität hinsichtlich eingesetzter Wafermaterialien und -größen aus. Siliziumwafer mit Durchmessern von 150mm bis 200mm können standardmäßig verarbeitet werden – weitere Größen auf Nachfrage. Die gesamte Prozesslinie basiert dabei auf einer 0.8 μm Si-CMOS-Technologie und wird durch hochqualitative Kontaminationskontrolle gestützt.
SiC-Prototyp-Foundry
Spezielles Augenmerk liegt zudem auf der Herstellung von Siliziumcarbid-Bauteilen mit Wafergrößen von 100 mm und 150 mm. Um auch in diesem Fall die Umsetzung aller gewünschten Prozessschritte , etwa Epitaxie, ICP-Trockenätzen, Wachstum von Siliziumdioxid, Aluminiumimplantation bei erhöhter Temperatur, Aktivierungstempern oder auch leitende Kontaktlegierung, zu gewährleisten, steht zusätzliches Equipment zur Verfügung.
Zusätzlich fungiert π-Fab auch als Plattform zur Beurteilung und Optimierung für Prozessausstattung und wir unterstützen unsere Kunden auch bei Themen der Fertigungskontrolle. Damit formt die Prototyp-Fabrik gleichermaßen auch die Basis für die am IISB angebotenen SiC-Services, welche die volle Prozesskette vom Material, über Bauteile bis hin zu SiC Modulen und Mechatronik-Systemen abdeckt.
Verfügbare Prozessschritte
Wie beschrieben, steht π-Fab für Flexibilität wie auch Individualität und ermöglicht die Verarbeitung unterschiedlichster Wafergrößen und –Typen. Ziel ist es, unsere Kunden bei der Herstellung maßgefertigter Halbleiterbauelemente und produktionsbereiter Prototypen für Leistungselektronik zu unterstützen. Auch einzelne Herstellungsschritte von Bauteilen sowie deren modulare Zusammenführung stehen im π-Fab auf der Agenda. Dabei kann der Kunde zu jeder Zeit selbst über Ein- und Austritt aus der Prozesslinie entscheiden: