SiC-Services

Die Materialentwicklung bildet die Basis der SiC-Services am IISB. Gestützt von unserer Expertise aus den Bereichen Bauelemente und Systeme können wir unseren Kunden zu maßgefertigten Halbleitermaterialien höchster Qualität verhelfen. Dabei bieten wir alle Prozessschritte aus einer Hand an – von der Epitaxie über die Charakterisierung und Simulation bis hin zur Bauelementeprozessierung.

Homoepitaxy

Fraunhofer IISB entwickelt Prozesse für das epitaktische Wachstum auf der Si- und C-Seite von 4H-Siliziumkarbidsubstraten mit unterschiedlicher Verkippung, d.h. mit verschiedenen Verkippungswinkeln und -richtungen. Darüber hinaus ist ein epitaktischer Wachstumsprozes für die Herstellung von Epitaxieschichten mit niedriger BPD-Dichte verfügbar:

Charakterisierung & Defektanalyse

Das IISB kann auf umfassendes Wissen bezüglich der Charakterisierung von strukturellen Defekten in 4H-SiC-Materilaien sowie der elektrischen Charakterisierung von Elektrogeräten zurückgreifen. Die angebotenen Leistungen der Charakterisierung basieren auf den nachfolgend genannten Methoden. Gerne beraten wir unsere Kunden bei der der Wahl der für ihr spezifisches Anliegen passenden Variante: 

SiC-Bauteilherstellung  

Wir entwickeln neue SIC-Bauteilkonzepte, welche nicht nur den individuellen Ansprüchen unserer Kunden entsprechen, sondern auch als Lösung für neue und leistungsstärkere Anwendungen zum Einsatz kommen („technology-push“).

Unter Einbezug der Expertise der „Bauteilfertigung“ des IISB soll es Kunden ermöglicht werden eigene Forschung zu betreiben sowie die Entwicklung und Herstellung eigener SiC-basierter Bauteile zu realisieren.

SiC-Prototyp-Fabrik 

Im Rahmen der IISB-eigenen Prototypfabrik π-Fab bieten wir zusätzlich auch die Entwicklung und Fertigung kundenspezifischer Leistungshalbleiter-Prototypen, wie etwa High-Channel-Mobility-MOSFETs oder UV/ Röntgen-Detektoren, an. Die Herstellung basiert auf einer CMOS-Prozesslinie und deckt sowohl Einzelbauteile, als auch ganze Module bzw. auch spezifische Prozessschritte ab.

SiC-Modulentwicklung

& Anordnung

Aufbauend auf unserer Erfahrung im Bereich SiC-Materialen und Bauteile, entwickeln wir neue Ideen und Anordnungen für individuell angefragte SiC-Module. Zur Verfügung stehen dabei unterschiedliche Die-Attach-Technologien und –Konzepte, High-Speed-Umschalt-Designs sowie beschleunigte Modellierungen für Alterung und Lebenszeit.

SiC-Mechatroniksysteme

Vom Material zum System – mit der Integration und Optimierung von divers eingesetzen SiC-Mechatroniksystemen, machen wir die Prozesskette der am IISB verfügbaren SiC-Services komplett. Unser Fokus liegt hierbei auf der Beurteilung neuartiger Bauteile in hocheffizienten Leistungselektroniksystemen, der Kostenreduktion durch Systemintegration der Entwicklung innovativer Lösungen für Automobilanwendungen und Energieübertragung.