Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB
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GMM-Nutzergruppe Prozesskontrolle, Inspektion und Analytik
Veranstaltungsdetails
Kosten
kostenlos
Veranstaltungsort
Fraunhofer IISB, Schottkystraße 10, 91058 Erlangen
Datum
22. Juni 2023
Organisation
-
Fraunhofer IISB
Einladung
Wir laden Sie herzlich ein zu unserem 21. Treffen der GMM-Fachgruppe 1.2.6 "Prozesskontrolle, Inspektion & Analytik" am 22. Juni 2023.
Das Schwerpunktthema des Treffens ist „Analysemethoden für neue Materialien in der Halbleiterfertigung (SiC, GaN, AlN, Ga2O3, etc.)“. Vorträge oder Diskussionsbeiträge zu diesem Thema sind herzlich willkommen.
Ziel der GMM-Fachgruppe ist es, ein offenes Forum für Diskussionen im Bereich der Prozesskontrolle, der Inspektion und der Analytik zu schaffen und einen Erfahrungsaustausch zwischen Herstellern von Halbleiterbauelementen (Mikroelektronik, Mikrosystemtechnik, Photovoltaik), Geräteherstellern und Forschungseinrichtungen zu ermöglichen. Aus diesem Grund sind neben Beiträgen zum oben genannten Schwerpunktthema ebenfalls Vorträge zu anderen Themen aus dem Bereich "Prozesskontrolle, Inspektion und Analytik" sehr willkommen. Sie sind daher herzlich eingeladen, interessante Themen aus Ihrem Arbeitsbereich vorzustellen. Bitte geben Sie hierzu einfach den Titel Ihres Beitrages bei der Online-Registrierung (siehe unten) an.
Die Tagesordnung sowie der Online-Link werden kurz vor dem Treffen bekannt gegeben.
Weitere Informationen über die GMM-Nutzergruppe "Prozesskontrolle, Inspektion und Analytik" und ihre vergangenen Treffen finden Sie hier.
Bereits eingegangene Beiträge
Bestimmung von Elementverunreinigungen in Gasen der Halbleiterindustrie mit ICP-MS, insbesondere von Spurenverunreinigungen anderer Element Hydride in Arsin mittels GC-ICP-QQQ
Jörg Hansmann, Agilent Technologies Deutschland, Waldbronn
Ramanspektroskopische Charakterisierung an UWBG-Halbleitermaterialien
Christian Röder, Fraunhofer IISB - Standort THM, Freiberg
Charakterisierung von WBG- und UWBG-Materialien mittels orts- und spektralaufgelöster SPV
Nadine Schüler, Freiberg Instruments, Freiberg
Corona – Kelvin Probe for Measuring Doping Concentration and Defect Inspection of SiC
Robin Karhu, Fraunhofer IISB, Erlangen
MOS-CV-Messungen im nichtstationären Nichtgleichgewicht zur selbstkonsistenten Bestimmung der Interface- und Bulkeigenschaften von Oxid/Si/SGe/Si-Schichtstapeln
Roland Sorge, IHP - Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik, Frankfurt (Oder)
Hybrid SIMS: New Adaptive Ion Injection System (AIIS) for Improved Repeatability of Quantitative Orbitrap™ SIMS Measurements
Sven Kayser, IONTOF, Münster
Röntgentopographische Methoden zur Qualitätskontrolle in monokristallinem Gallium- und Aluminiumnitrid
Roland Weingärtner, Fraunhofer IISB, Erlangen
Speeding up XRT Defect Recognition for SiC
Paul Wimmer, Fraunhofer IISB, Erlangen
Betrachtungen zur photo-elastischen Konstanten von Halbleitermaterialien in Theorie und Experiment
Martin Herms, PVA Metrology & Plasma Solutions, Wettenberg
Stand und Aufgaben bei Analysemethoden als Dienstleistung
Gerald Dallmann, SGS INSTITUT FRESENIUS, Dresden
Tagesordnung
Anmeldung
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