"Eine neue Ära beginnt", "niedrigste Verluste", "Ultra schnelles Schalten", "50 MHz Schaltfrequenz", "10 x höhere Leistungsdichte"
-> Potential von neuartigen SiC- und GaN-Leistungsgeräten.
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Leistungshalbleiter-Benchmarks
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Alle Arten von verpackten und blanken Geräten
Flexibler Torantrieb für Normal- und Aus-Verhalten
Erweiterte Funktionen wie Schaltleistung, Torladung, Widerstand, Diodenladung nach internationalen Standards
Einfache Bedienung der automatisierten Dokumentation und numerische Datenbankgenerierung für Gerätemodellierung
AUTOR |
TITEL |
TALK |
PAPER |
Endruschat |
A. Endruschat; T. Heckel; R. Reiner; P. Waltereit; R. Quay; O. Ambacher; M. März; B. Eckardt; L. Frey, Slew rate control of a 600 V 55 mΩ GaN cascode, IEEE 4th Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications (WiPDA) |
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Kreutzer |
Kreutzer O., Heckel T., Maerz M.: Using SiC MOSFET’s full potential – Switching faster than 200 kV/μs. International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, ICSCRM, Giardini Naxos, 2015 |
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Heckel |
T. Heckel, B. Eckardt, M. März, L. Frey, "SiC MOSFETs in Hard-Switching Bidirectional DC/DC Converters", Materials Science Forum, Vols. 821-823, pp. 689-692, Jun. 2015 |
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Heckel |
T. Heckel, Frey, L., "A novel charge based SPICE model for nonlinear device capacitances," in Wide Bandgap Power Devices and Applications (WiPDA), 2015 IEEE 3rd Workshop on , vol., no., pp.141-146, 2-4 Nov. 2015 |
X | pdf |
Heckel |
T. Heckel, C. Rettner, M. März, “Fundamental Efficiency Limits in Power Electronic Systems”, International Telecommunications Energy Conference 2015 |
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Heckel |
Heckel, T.: Aufbruch in neue Performance-Regionen bei Schaltwandlern – Messungen an GaN-Bauelementen und Anwendungserfahrungen. Workshop Schaltungstechnik für GaN-Bauelemente in der Leistungselektronik, 4. November 2013, Berlin |
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Heckel |
Heckel, T.: GaN-Devices in power electronics. Jahrestagung Fraunhofer IISB und 27. DGKK Workshop, 06.12.2012, Erlangen |
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Heckel |
Heckel, T.: GaN- and SiC-Devices in power electronics. Leistungselektronik-Kolloquium des Fraunhofer Innovationsclusters „Elektronik für nachhaltige Energienutzung“, 17.12.2012, Erlangen |
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Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB