Dynamische Bauteil Charakterisierung

Motivation

"Eine neue Ära beginnt", "niedrigste Verluste", "Ultra schnelles Schalten", "50 MHz Schaltfrequenz", "10 x höhere Leistungsdichte"

-> Potential von neuartigen SiC- und GaN-Leistungsgeräten.

 

Aber möchten Sie die wirklichen Vorteile von SiC und GaN in ihrem spezifischen System kennenlernen?

Wir sind Ihr herstellerunabhängiger Partner für Geräteauswertung und Leistungshalbleiter-Modellierung für virtuelles Prototyping. 

Forschungsfelder und Dienstleistungen

Leistungshalbleiter-Benchmarks

Bewertung von neuartigen Geräten in hocheffizienter Leistungselektronik

Gerätemodellierung für computergestützte Systemoptimierung und virtuelles Prototyping

Überprüfung der gemessenen und simulierten Geräteeigenschaften

Modellierung aller anwendungsbezogenen Geräteeigenschaften

Eigenschaften

Hochdynamische Schalter- und Diodencharakterisierung bis 2000 V, 100 A, 250 ° C

Alle Arten von verpackten und blanken Geräten

Flexibler Torantrieb für Normal- und Aus-Verhalten

Erweiterte Funktionen wie Schaltleistung, Torladung, Widerstand, Diodenladung nach internationalen Standards

Einfache Bedienung der automatisierten Dokumentation und numerische Datenbankgenerierung für Gerätemodellierung

 

 

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Publikationen

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TITEL

TALK

PAPER

Endruschat

A. Endruschat; T. Heckel; R. Reiner; P. Waltereit; R. Quay; O. Ambacher; M. März; B. Eckardt; L. Frey, Slew rate control of a 600 V 55 mΩ GaN cascode, IEEE 4th Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications (WiPDA)

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Kreutzer

Kreutzer O., Heckel T., Maerz M.: Using SiC MOSFET’s full potential – Switching faster than 200 kV/μs. International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, ICSCRM, Giardini Naxos, 2015

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Heckel

T. Heckel, B. Eckardt, M. März, L. Frey, "SiC MOSFETs in Hard-Switching Bidirectional DC/DC Converters", Materials Science Forum, Vols. 821-823, pp. 689-692, Jun. 2015

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Heckel

T. Heckel, Frey, L., "A novel charge based SPICE model for nonlinear device capacitances," in Wide Bandgap Power Devices and Applications (WiPDA), 2015 IEEE 3rd Workshop on , vol., no., pp.141-146, 2-4 Nov. 2015

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Heckel

T. Heckel, C. Rettner, M. März, “Fundamental Efficiency Limits in Power Electronic Systems”, International Telecommunications Energy Conference 2015

   

Heckel

Heckel, T.: Aufbruch in neue Performance-Regionen bei Schaltwandlern – Messungen an GaN-Bauelementen und Anwendungserfahrungen. Workshop Schaltungstechnik für GaN-Bauelemente in der Leistungselektronik, 4. November 2013, Berlin

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Heckel

Heckel, T.: GaN-Devices in power electronics. Jahrestagung Fraunhofer IISB und 27. DGKK Workshop, 06.12.2012, Erlangen

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Heckel

Heckel, T.: GaN- and SiC-Devices in power electronics. Leistungselektronik-Kolloquium des Fraunhofer Innovationsclusters „Elektronik für nachhaltige Energienutzung“, 17.12.2012, Erlangen

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