In diesem Projekt sollte die Leistungsfähigkeit und Zähigkeit eines CoolMOS ™ Transistors in hochfrequent getakteten Brücken am Beispiel eines HF-Generators zur induktiven Erwärmung gezeigt werden.
In diesem Projekt sollte die Leistungsfähigkeit und Zähigkeit eines CoolMOS ™ Transistors in hochfrequent getakteten Brücken am Beispiel eines HF-Generators zur induktiven Erwärmung gezeigt werden.
Entwicklung eines HF-Generators mit sehr hohem Wirkungsgrad für induktive Erwärmung
Ausgangsleistung ca. 1 kW
Arbeitsfrequenz 100...500 kHz
SMD-Leistungstransistoren
Eingangsspannung 230 Vac
Absolute Betriebssicherheit unter allen Lastbedingungen
Für die Erzeugung einer HF-Leistung von 1 kW im Frequenzbereich bis 500 kHz wurde der Generator als resonanter Halbbrückenwandler realisiert.
Jeder der beiden Halbbrückenschalter besteht aus zwei parallel geschalteten CoolMOS-Transistoren vom Typ SPB20N60C2 (190 mOhm, 600 V). Damit erreicht der Generator einen Wirkungsgrad von über 97%. Aufgrund der geringen Verlustleistung konnten die Leistungstransistoren in SMD-Technik montiert und durch die Leiterplatte entwärmt werden.
Ein spezielles Ansteuerverfahren stellt eine resonante Kommutierung unter allen – auch transienten – Betriebsbedingungen sicher.
Infineon AG
2000 - 2001