Kolloquium zur Halbleitertechnologie und Messtechnik

21. November 2022, 17:15 Uhr, online

Link zur Teilnahme via MS Teams (keine Installation notwendig, auch über den Browser abrufbar!)

Weitere Informationen zu Teams | Rechtliche Hinweise

Möglichkeiten der Halbleitermaterial-Charakterisierung und -Prozessierung in Freiberg
Franziska Beyer, Fraunhofer IISB/THM, Freiberg

Der Vortrag wird die Zusammenarbeit mit der Arbeitsgruppe von Professor Johannes Heitmann auf dem Gebiet der Prozessierung und Charakterisierung von Nitridhalbleitern unter Verwendung schädigungsarmer Ätzverfahren im zentralen Reinraumlabor der TU Bergakademie Freiberg vorstellen. Zukünftig sollen diese Prozesse und Methoden auch auf Galliumoxid angewandt werden.
 

Schmelzzüchtung von β-Ga₂O₃-Volumenkristallen
Matthias Bickermann, Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ), Berlin

Gallium oxide currently gains huge attention as a novel power semiconductor material. It promises to enable further device miniaturization due to its high breakdown voltage, and interesting results have already been achieved. But most important - and in contrast to SiC, GaN, and AlN - gallium oxide bulk single crystals can be grown from the melt, e.g. by the Czochralski method: Just like silicon, though not quite as easy. This seminar sheds light on the promises, problems, and recent research results regarding gallium oxide crystals, wafers, and (briefly) epilayers, with a focus on the technologies and activities at the Leibniz-Institut für Kristallzüchtung in Berlin.

Ga₂O₃-Einkristall und -Wafer, Hall-Beweglichkeit in Abhängigkeit von der Ladungsträger-Konzentration (Bild zum Vergrößern anklicken)
 

Aktueller Stand der Prozessentwicklungen von lateralen und vertikalen β-Ga₂O₃ Leistungstransistoren am FBH
Kornelius Tetzner, Ferdinand-Braun-Institut (FBH), Berlin

Der Wide-Bandgap-Halbleiter β-Ga₂O₃ hat sich in den letzten Jahren aufgrund seiner herausragenden Eigenschaften zu einem vielversprechenden Material für leistungselektronische Anwendungen der nächsten Generation entwickelt. Die hohe zu erwartende Durchbruchfestigkeit von 8 MV/cm erlaubt eine aggressive Reduktion des Gate/Drain-Abstandes wodurch folglich die Realisierung von noch kompakteren und effizienteren Schalttransistoren ermöglicht wird als im Vergleich zu SiC oder GaN. Dieser Vortrag soll einen aktuellen Überblick hinsichtlich der derzeitigen Forschungsaktivitäten am FBH auf dem Gebiet der Entwicklung von lateralen und vertikalen Leistungstransistoren auf der Basis von β-Ga₂O₃ geben. Dabei werden für beide Topologien die Anforderungen an Volumenkristallzucht, Epitaxie und Bauelementdesign näher beleuchtet sowie die derzeitigen Herausforderungen zur Bewältigung von Limitierungen in den Leistungseigenschaften.