Fraunhofer Institute for Integrated Systems and Device Technology IISB
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Workshop der GMM-Nutzergruppe "Abscheide- und Ätzverfahren"
Event details
Registration
online (siehe unten)
Costs
120,- Euro pro Teilnehmer (Vortragende ausgenommen)
Location
Fraunhofer IISB
Schottkystr. 10, 91058 Erlangen
Date
December 07, 2022
Organization
-
Fraunhofer IISB
Language
Deutsch (Folien können gerne in Englisch verfasst sein)
Einladung
Im Namen der GMM-VDE/VDI-Gesellschaft Mikroelektronik, Mikrosystem- und Feinwerktechnik laden wir Sie recht herzlich zu unserem 24. Workshop und der GMM-Fachgruppe "Abscheide- und Ätzverfahren" ein. Die Schwerpunktthemen des Workshops sind „Derzeitige Herausforderungen hinsichtlich Lieferketten“ und „Wide Bandgap, umweltschonende und nachhaltige Halbleitertechnologie”.
Ziel des jährlich stattfindenden Workshops ist es, ein offenes Forum für Diskussionen zu den Prozessbereichen Physikalische Gasphasenabscheidung (PVD), Plasmaunterstützte Chemische Gasphasenabscheidung (PECVD), Elektrochemische Abscheidung (ECD), allgemein von Abscheideverfahren und dem Plasmaätzen zu schaffen und einen Erfahrungsaustausch zwischen Herstellern von Halbleiterbauelementen, Geräteherstellern und Forschungseinrichtungen zu ermöglichen. Hierzu werden im Rahmen des Workshops aktuellen Themen aus den von ihr betreuten Prozessbereichen vorgetragen.
Eine Übersicht über die Veranstaltungen und zu den Treffen der Nutzergruppe finden Sie hier.
Weitere Interessierte für die Mitarbeit in der Nutzergruppe sind herzlich willkommen.
Über Ihre Teilnahme am 24. Workshop der GMM-Fachgruppe "Abscheide- und Ätzverfahren" am 7. Dezember 2022 würden wir uns sehr freuen. Zum Anmeldeformular gelangen Sie hier. Vielen Dank.
Vorläufiges Vortragsprogramm
Tagesordnung
Green Alternatives - Environmental-Friendly Processes for DRIE and PECVD Cleaning
Robert Wieland, Fraunhofer EMFT, München
SiC Etch & Plasma Dicing Preparation
Joanne Carpenter, SPTS Technologies, Newport/Vereinigtes Königreich
Atomic layer processing: interplay between atomic layer deposition and atomic layer etching on the example of AlGaN/GaN HEMT structures
Franziska Beyer, Fraunhofer IISB, THM, Freiberg
SiC Metrology Challenges & Solutions
Bernhard Botters, KLA Instruments Group, Unterhaching
DCVD V(I) Measurements with Topography
Helmut Schönherr, Infineon Technologies Austria, Villach/Österreich
Elektronik und Optik - Gemeinsamkeiten und Unterschiede bei den Ansprüchen an die Fertigungstechnik
Victor Brasch, Q.ANT, Stuttgart
Lieferkettendisruption und wie damit umgehen?
Manfred Beckers, Lesker, Dresden
SiC Power MOS Technology Evolution - Sustainable and Efficient Energy Conversion in DC Grids
Tobias Erlbacher, Fraunhofer IISB, Erlangen
xParts - ALD Beschichtungen zum Schutz von Anlagenteilen in Halbleiterfertigungsprozessen
Kevin Bühlmann, INFICON, Balzers/Liechtenstein
In-situ metrology for sub-nm precision in plasma etch end-pointing
Marcello Binetti, LayTec AG, Berlin
Anmeldung nur bis 29. November 2022 möglich
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