GMM-Nutzergruppe Prozesskontrolle, Inspektion und Analytik

Nutzergruppentreffen / June 22, 2023

GMM-Nutzergruppentreffen 1.2.6 "Prozesskontrolle, Inspektion und Analytik"

Event details

Costs

kostenlos

Location

Fraunhofer IISB, Schottkystraße 10, 91058 Erlangen

Date

June 22, 2023

Organization

Fraunhofer IISB

Einladung

The presentations will be partly in German, and partly in English

Wir laden Sie herzlich ein zu unserem 21. Treffen der GMM-Fachgruppe 1.2.6 "Prozesskontrolle, Inspektion & Analytik" am 22. Juni 2023.

Das Schwerpunktthema des Treffens ist „Analysemethoden für neue Materialien in der Halbleiterfertigung (SiC, GaN, AlN, Ga2O3, etc.)“. Vorträge oder Diskussionsbeiträge zu diesem Thema sind herzlich willkommen.

Ziel der GMM-Fachgruppe ist es, ein offenes Forum für Diskussionen im Bereich der Prozesskontrolle, der Inspektion und der Analytik zu schaffen und einen Erfahrungsaustausch zwischen Herstellern von Halbleiterbauelementen (Mikroelektronik, Mikrosystemtechnik, Photovoltaik), Geräteherstellern und Forschungseinrichtungen zu ermöglichen. Aus diesem Grund sind neben Beiträgen zum oben genannten Schwerpunktthema ebenfalls Vorträge zu anderen Themen aus dem Bereich "Prozesskontrolle, Inspektion und Analytik" sehr willkommen. Sie sind daher herzlich eingeladen, interessante Themen aus Ihrem Arbeitsbereich vorzustellen. Bitte geben Sie hierzu einfach den Titel Ihres Beitrages bei der Online-Registrierung (siehe unten) an.

Die Tagesordnung sowie der Online-Link werden kurz vor dem Treffen bekannt gegeben.

Weitere Informationen über die GMM-Nutzergruppe "Prozesskontrolle, Inspektion und Analytik" und ihre vergangenen Treffen finden Sie hier.

Bereits eingegangene Beiträge

Bestimmung von Elementverunreinigungen in Gasen der Halbleiterindustrie mit ICP-MS, insbesondere von Spurenverunreinigungen anderer Element Hydride in Arsin mittels GC-ICP-QQQ
Jörg Hansmann, Agilent Technologies Deutschland, Waldbronn

Ramanspektroskopische Charakterisierung an UWBG-Halbleitermaterialien
Christian Röder, Fraunhofer IISB - Standort THM, Freiberg

Charakterisierung von WBG- und UWBG-Materialien mittels orts- und spektralaufgelöster SPV
Nadine Schüler, Freiberg Instruments, Freiberg

Corona – Kelvin Probe for Measuring Doping Concentration and Defect Inspection of SiC
Robin Karhu, Fraunhofer IISB, Erlangen

MOS CV Messungen im nichtstationären Nichtgleichgewicht zur selbstkonsistenten Bestimmung der Interface- und Bulkeigenschaften von Oxid/Si/SGe/Si-Schichtstapeln
Roland Sorge, IHP - Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik, Frankfurt (Oder)

Hybrid SIMS: New Adaptive Ion Injection System (AIIS) for Improved Repeatability of Quantitative Orbitrap™ SIMS Measurements
Sven Kayser, IONTOF, Münster

Röntgentopographische Methoden zur Qualitätskontrolle in monokristallinem Gallium- und Aluminiumnitrid
Roland Weingärtner, Fraunhofer IISB, Erlangen

Speeding up XRT Defect Recognition for SiC
Paul Wimmer, Fraunhofer IISB, Erlangen

Betrachtungen zur photo-elastischen Konstanten von Halbleitermaterialien in Theorie und Experiment
Martin Herms, PVA Metrology & Plasma Solutions, Wettenberg

Anmeldung

Bitte melden Sie sich bis spätestens 8. Juni 2023 an.

Zur Anmeldung geht es hier.