Cluster-Seminar  /  November 05, 2019  -  November 06, 2019

Cluster-Seminar Isolation in der Leistungselektronik -Vertiefung-

5. - 6. November 2019, Fraunhofer IISB Erlangen

Zunehmende Miniaturisierung, Erhöhung der Spannungsklassen der Bauelemente, höhere Schaltfrequenzen und steile transiente Übergänge, insbesondere durch neue Leistungshalbleiter (GaN, SiC), erhöhen die Anforderungen an die elektrische Isolationsfestigkeit in Bauelementen und Baugruppen.

Damit einher geht der Trend zu zunehmender Integration (embedded systems in Mehrlagen-Leiterplatten) zur Verkürzung der Verbindungslängen zwischen den Bauelementen, um die parasitären Induktivitäten zu reduzieren. Damit wird der Gesamtaufbau niederinduktiv, und die steilen Schaltflanken der Wide-Band-Gap-Halbleiter werden ermöglicht. Daraus ergeben sich erhöhte Anforderungen an Materialien und Layout-Konzepte von elektronischen Bauelementen, Schaltungsträgern und Elektronikbaugruppen.

In diesem Seminar werden wir die physikalischen Grundlagen für Isolationsfehler in verschiedenen Medien beleuchten (Durchschlag, Teilentladung), neuartige Isolationsmaterialien für den Einsatz in der Leistungselektronik vorstellen, Simulationstools und –verfahren vorstellen, uns mit dem Isolationsversagen induktiver Bauteilebeschäftigen und uns die Isolationsmöglichkei-ten für Treiber anschauen. Beispiele aus der Praxis runden das Seminar ab.

Das Seminar ist geeignet für Entwickler, Forscher und Hochschulangehörige, die mehr über die Hintergründe zum Thema Isolation in der Leistungselektronik wissen möchten, jenseits der reinen Umsetzung von Normen.

 

Anmeldung unter: https://www.clusterle.de/veranstaltungen