Fraunhofer Institute for Integrated Systems and Device Technology IISBBesuch von der Bulgarischen Akademie der Wissenschaften
Seit mittlerweile 6 Jahren ist Frau Dr. Albena Paskaleva vom "Georgi Nadjakov Institute of Solid State Physics" der Bulgarischen Akademie der Wissenschaften ein regelmäßiger und gern gesehener Gast am Fraunhofer IISB und am Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente (LEB). Aus einem ersten Aufenthalt am LEB als Humboldt-Stipendiatin hat sich eine enge Zusammenarbeit auf dem Gebiet elektrischer Leitungsmechanismen in Isolatormaterialien mit hoher Dielektrizitätskonstante entwickelt.
Auch bei ihrem aktuellen Besuch vom 13. Oktober bis zum 5. November beschäftigte sich Dr. Paskaleva mit dieser Thematik. Dabei führte sie Untersuchungen an dünnsten Schichten aus Zirkoniumdioxid durch, die mit Aluminium und Silicium dotiert sind. Anhand elektrischer Messungen analysierte Dr. Paskaleva die Auswirkungen unterschiedlicher Prozessparameter bei der kontrollierten Abscheidung einzelner Atomlagen (Atomic Layer Deposition, ALD) dieses Materialsystems. Die untersuchten Isolationsschichten sollen in zukünftigen DRAM-Speicherzellen Verwendung finden.
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