Fraunhofer IISB

Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB

Kostengünstigere Hochleistungshalbleiter – Neues Anlagenkonzept für die Galliumnitrid-Herstellung

Galliumnitrid gilt als Halbleitermaterial der Zukunft. Doch noch ist die Herstellung sehr teuer. Gemeinsam mit Forschern aus der Industrie haben Wissenschaftler vom Fraunhofer THM in Freiberg ein neues Anlagenkonzept entwickelt, welches die Herstellungskosten von GaN deutlich senkt. Damit ergeben sich Chancen auf neue Arbeitsplätze am Halbleiterstandort Freiberg.

AIXTRON partners with Fraunhofer IISB to enhance Silicon Carbide production technology

AIXTRON, a leading provider of deposition equipment to the semiconductor industry, has teamed up with research institution Fraunhofer IISB (Institute for Integrated Systems and Device Technology) in Erlangen, Germany, to develop 150 mm Silicon Carbide (SiC) epitaxy processes using the new AIXTRON 8 x 150 mm G5WW Vapor Phase Epitaxy (VPE) system. AIXTRON’s Planetary Reactor® tool will be installed at the IISB cleanroom laboratory in the fourth quarter of 2014.

Custom Tailored SiC Services

Fraunhofer IISB offers R&D Services on SiC from materials development and prototype devices to module assembly and mechatronic systems.

Based on IISB‘s toolbox, customers can utilize the services in order to  perform, e.g., design studies, feasibility tests, proofs of concept, or prototype fabrication.

For this, Fraunhofer IISB operates the π-Fab, which comprises a continuous silicon CMOS and silicon carbide process line in an industry-compatible environment.