.Auf der E-MRS-Tagung 2014 in Lille wurde Herr Toni Lehmann vom Fraunhofer THM in Freiberg mit dem „E-MRS Symposium W Graduate Student Award“ ausgezeichnet. Der Wissenschaftler konnte zeigen, dass bei bestimmten Gefügeeigenschaften von multikristallinen Siliziumwafern nur noch 1% der Waferoberfläche so genannte Versetzungscluster beinhaltet. Bei multikristallinen Standardwafern hingegen beträgt der Flächenanteil mit diesen schädlichen Kristallfehlern mehr als 10%. Mit seinen Forschungsergebnissen liefert Herr Lehmann wichtige Erkenntnisse darüber, in welche Richtung sich der industrielle Herstellungsprozess für multikristalline Siliziumwafer künftig entwickeln sollte. Mit einem derartig optimierten Siliziummaterial lassen sich Solarzellen mit noch höheren Wirkungsgraden herstellen und damit auch die Kosten für die Erzeugung von Photovoltaikstrom weiter senken.

A new fast and contactless Defect Luminescence Scanner (DLS) for photoluminescence imaging of 4H-SiC epiwafers was developed under coordination of Fraunhofer IISB together with Intego GmbH. This DLS system enables a more efficient optimization of the production process of SiC epiwafers as well as an inline quality control along the device production chain. This will contribute to cost reduction in material and device production, and helps accelerating the further commercialization of SiC power devices.

Fraunhofer IISB offers R&D Services on SiC from materials development and prototype devices to module assembly and mechatronic systems.

Based on IISB‘s toolbox, customers can utilize the services in order to  perform, e.g., design studies, feasibility tests, proofs of concept, or prototype fabrication.

For this, Fraunhofer IISB operates the π-Fab, which comprises a continuous silicon CMOS and silicon carbide process line in an industry-compatible environment.