Fraunhofer IISB

Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB

Jahrestagung des Fraunhofer IISB 2014 – Niederspannungsgleichstromnetze

Im Rahmen der IISB-Jahrestagung am 17. Oktober 2014 erhalten Sie Einblick in aktuell laufende Verbundforschungsprojekte und ausgewählte Arbeiten von Partnern und Forschern des IISB auf dem Gebiet der Niederspannungsgleichstromnetze.

Begleitet wird die Jahrestagung von einem Seminar des Clusters Leistungselektronik mit interessanten Beiträgen aus Industrie und Forschung. Dieses Seminar findet am Vortag, 16. Oktober 2014, statt.

Weitere Informationen zur Jahrestagung und zum Cluster-Seminar erhalten Sie auf den Veranstaltungs-Seiten.

Energietechnik im Wandel – Bayerische Energieforschungsprojekte

Die Fraunhofer-Institute IISB, IIS und ISC laden Sie am 27. Oktober 2014 zum Symposium „Energietechnik im Wandel – bayerische Energieforschungsprojekte“ ein.

Im Rahmen des Symposiums wird der Status großer, vom Bayerischen Staatsministerium für Wirtschaft und Medien, Energie und Technologie geförderter Energieforschungs-projekte vorgestellt und mit Vertretern aus Industrie, Wissenschaft und Politik diskutiert.

Im Einzelnen werden die folgenden, von den Fraunhofer-Instituten IISB, IIS und ISC koordinierten Projekte präsentiert: EnCN-NET, DEGREEN und SEEDs.

Dazu spricht Staatsministerin Ilse Aigner ein Grußwort.

Elektronik für die Energieversorgung: Strategische Kooperation zwischen Siemens und Fraunhofer IISB

Siemens und das Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB arbeiten künftig auf dem Gebiet der elektrischen Energiever-sorgung zusammen. Gemeinsam sollen neue Lösungen für die Energieumwandlung im Nieder- und Mittelspannungsbereich mit Hilfe der Multi-Level-Technologie gefunden werden. Die Forschungskooperation erweitert den Campus „Future Energy Systems“ in Erlangen und unterstreicht die Bedeutung des Standorts als nationales Leistungszentrum für Elektroniksysteme.

Kostengünstigere Hochleistungshalbleiter – Neues Anlagenkonzept für die Galliumnitrid-Herstellung

Galliumnitrid gilt als Halbleitermaterial der Zukunft. Doch noch ist die Herstellung sehr teuer. Gemeinsam mit Forschern aus der Industrie haben Wissenschaftler vom Fraunhofer THM in Freiberg ein neues Anlagenkonzept entwickelt, welches die Herstellungskosten von GaN deutlich senkt. Damit ergeben sich Chancen auf neue Arbeitsplätze am Halbleiterstandort Freiberg.

Custom Tailored SiC Services

Fraunhofer IISB offers R&D Services on SiC from materials development and prototype devices to module assembly and mechatronic systems.

Based on IISB‘s toolbox, customers can utilize the services in order to  perform, e.g., design studies, feasibility tests, proofs of concept, or prototype fabrication.

For this, Fraunhofer IISB operates the π-Fab, which comprises a continuous silicon CMOS and silicon carbide process line in an industry-compatible environment.