Press Archives 2012

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  • © stephan-rauh.com / BMBF / Fraunhofer

    Erlangen/Bonn/Berlin/Dresden, Dezember 2012 – Nur noch bis zum 7. Januar 2013, 12 Uhr MEZ, können sich Interessierte für die vierte Auflage des DRIVE-E-Programms bewerben. Dann endet die Bewerbungsfrist für das vom Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF) und der Fraunhofer-Gesellschaft gemeinsam initiierte Nachwuchsprogramm im Bereich Elektromobilität. Die DRIVE-E-Akademie 2013 findet vom 4. bis 8. März 2013 in Dresden statt. Mit dem DRIVE-E-Studienpreis zeichnen die Veranstalter herausragende studentische Arbeiten zum Thema Elektromobilität aus. Er wird im Rahmen einer Festveranstaltung als Höhepunkt der Akademie am 6. März 2013 in der Elbmetropole verliehen.

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  • Ein starkes Netzwerk für die Elektromobilität von morgen / 2012

    Hamburg: Erstes DRIVE-E-Alumni-Meeting mit über 50 Teilnehmern aus ganz Deutschland

    Textmitteilung / 12.12.2012

    © VDI-TZ / Conrady

    Hamburg – Mehr als 50 ehemalige Teilnehmerinnen und Teilnehmer des Elektromo-bilitäts-Nachwuchsförderprogramms DRIVE-E trafen sich am 7. Dezember 2012 in Hamburg zum ersten DRIVE-E-Alumni-Meeting. Das vom Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF) und der Fraunhofer-Gesellschaft gemeinsam initiier-te Programm ist vor allem dank seines Netzwerks von jungen Talenten und Experten aus Wirtschaft und Forschung ein hervorragendes Karrieresprungbrett in diesem Be-reich. So stand beim DRIVE-E-Alumni-Meeting neben Vorträgen und Workshops zu verschiedenen Aspekten der Elektromobilität und dem Testen von Elektrofahrzeugen der Austausch untereinander im Vordergrund.

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  • Maßgeschneiderte Substrate für energieeffiziente Wide-Bandgap-Bauelemente / 2012

    14. Jahrestagung des Fraunhofer IISB elektrisiert die Halbleitermaterial-Szene

    Textmeldung / 11.12.2012

    © Fraunhofer IISB

    Etwa 40% des weltweiten Energiebedarfs gehen auf die Nutzung elektrischer Energie zurück. Durch den Einsatz moderner Elektronik können hier beträchtliche Einsparpotenziale realisiert werden. Im Vergleich zur etablierten Siliziumtechnologie lassen sich auf Basis von Halbleitern mit großer Bandlücke besonders effiziente elektronische Bauelemente und Schaltungen herstellen. Beispiele dafür sind Strom sparende Beleuchtungen mit Galliumnitrid-LEDs, Wechselrichter für Solar- und Windkraftanlagen mit Leistungsschaltern aus Siliziumkarbid oder die energiesparende Erzeugung von UV-Licht mit Bauelementen aus Aluminiumnitrid.

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  • European Research Consortium to Develop Simulation Tools Minimizing the Impact of Process Variations on Microelectronic Chips / 2012

    Advanced Simulation Tools to Fight Microchip Variations

    Text message / 13.11.2012

    © University of Glasgow / GSS

    Process, device, and circuit simulation tools are essential in reducing time to market and the cost of new microchip technology development, delivering faster computers, better consumer products and fueling the digital economy. The International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS) estimates that the use of such tools reduces chip development times and costs by about 40%. Advanced semiconductor devices and circuits are increasingly affected by different kinds of variations which occur during the process of chip fabrication. Within the European project SUPERTHEME, a tool chain for the simulation of the impact of process variations on the devices, circuits and systems fabricated will be developed. This will allow the global semiconductor industry to minimize the detrimental effects of such variations on chips used e.g. in computers, tablets and mobile phones.

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  • © Fraunhofer IISB / Kurt Fuchs

    Energiesparen ist einer der wichtigsten Hebel, um eine bezahlbare Energiewende zu ermöglichen. Speziell durch intelligente Leistungselektronik kann der Energieverbrauch von Netzteilen oder Elektromotoren erheblich gesenkt werden. Dafür werden Siliciumkristalle mit einem sehr geringen elektrischen Widerstand benötigt, um die elektrischen Schaltverluste in den Leistungsbauelementen zu minimieren. Die Herstellung von hoch leitfähigen Siliciumkristallen ist heute noch extrem anspruchsvoll. Gemeinsam mit der Freiberger Siltronic AG erforscht das Fraunhofer Technologiezentrum Halbleitermaterialien THM in Freiberg im Projekt PowerOnSi die wissenschaftlich-technischen Grundlagen, um kostengünstig Siliciumkristalle mit extrem geringen elektrischen Widerständen herstellen zu können, so dass der Einsatz von Leistungselektronik zum Energiesparen auf breiter Ebene weiter vorangetrieben wird. PowerOnSi wird vom Sächsischen Ministerium für Wissenschaft und Kunst gefördert, das Projekt begann am 1. Oktober 2012.

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  • © VDE

    Am Montag, 5. November 2012, findet im Rahmen des VDE-Kongresses 2012 in Stuttgart der diesjährige „e-studentday“ samt Karrieremesse statt. Der „e-studentday“ richtet sich an Schüler, Studierende sowie Berufseinsteiger. Auf der Karrieremesse präsentiert sich auch DRIVE-E, das erste deutsche Nachwuchsprogramm für Studierende zum Thema Elektromobilität. Das DRIVE-E-Programm wurde gemeinsam vom Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF) und der Fraunhofer‐Gesellschaft initiiert und besteht aus der einwöchigen DRIVE-E-Akademie sowie den DRIVE-E-Studienpreisen.

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  • © CEA-INES

    Dr.-Ing. Christian Reimann vom Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB wurde am 10. Oktober 2012 mit dem Ulrich-Gösele-Young-Scientist-Award ausgezeichnet. Die während der internationalen Konferenz „Crystalline Silicon for Solar Cells“ in Aix les Bains in Frankreich vor 200 Kristallzüchtungsexperten verliehene Auszeichnung würdigt Reimanns herausragende Beiträge zur Steigerung der Materialqualität von multikristallinen Siliziumkristallen. Multikristalline Siliziumkristalle bester Qualität ermöglichen die kostengünstige Herstellung hocheffizienter Solarzellen.

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  • © stephan-rauh.com / BMBF / Fraunhofer

    Bewerbung für DRIVE-E-Studienpreis und -Akademie 2013 bis 7. Januar möglich unter www.drive-e.org – TU Dresden ist aktueller Hochschulpartner der DRIVE-E-Akademie von BMBF und Fraunhofer

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  • Im Rahmen ihrer diesjährigen Herbstklausur besuchte die bayerische Landtagsfraktion von Bündnis90/Die Grünen am 18. September 2012 das Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB in Erlangen. Im Mittelpunkt des Interesses standen dabei aktuelle Forschungsaktivitäten und Entwicklungen auf dem Gebiet der Leistungselektronik, welche bei der Realisierung der Energiewende eine technologische Schlüsselrolle spielt.

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  • Seit mittlerweile 10 Jahren besteht eine enge Kooperation zwischen der Firma NanoWorld Services GmbH und dem Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB in Erlangen. Die Zusammenarbeit zwischen dem führenden Hersteller von Abtastspitzen für die Rasterkraftmikroskopie und dem Institut ist ein Paradebeispiel für erfolgreiche FuE-Praxis.

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