Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB
Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB

Projekte – Energiematerialien und Testbauelemente

ENGAGE

Entwicklung von n-typ basierten GaAs-Dioden für die nachhaltige, globale Energieversorgung

Die aktuelle Entwicklung im Bereich der Leistungselektronik ist getrieben von der Steigerung der elektrischen Effizienz, um elektrische Bauteile einerseits so kompakt wie möglich, aber andererseits auch so günstig wie möglich zu betreiben. In diesem Projekt sollen maßgebliche Verbesserungen durch die Verwendung von GaAs-Dioden erreicht werden.

Im Rahmen des Verbundprojektes ENGAGE werden neuartige Hochleistungsdioden (pin & MPS) auf n-typ GaAs Wafermaterial entwickelt, welche durch Anpassung an den industriellen Standard und hohe Performance in den Spannungsklassen bis 1200 V eine effiziente und kostengünstige Alternative zu SiC und Si Dioden darstellen werden.

Das Verbundprojekt ist entsprechend entlang der Wertschöpfungskette vom GaAs-Wafer bis zum Bauelement ausgerichtet und kombiniert die besonderen Fähigkeiten aller Partner zur Erzeugung innovativer Produkte für die Hochleistungselektronik.

Projektlaufzeit: 01.01.2025 - 31.12.2027

Projektpartner:

Förderung: EFRE/JTF, SAB, Freistaat Sachsen 

Förderkennzeichen: 100685804

SPV-4-UWBG

Development of Surface Photovoltage for Ultra-Wide Bandgap Semiconductors

Ziel dieses Vorhabens ist es, die Messmethode SPV (engl. Surface Photovoltage) für erste UWBG-Halbleiter, wie Aluminiumnitrid, zu etablieren, die Aussagekraft der Methode zu evaluieren und die Messungen mithilfe alternativer Analyseverfahren interpretieren zu können. Theoretische Simulationen sollen zudem helfen, das Messprinzip physikalisch besser zu verstehen.

Projektlaufzeit: 01.06.2025 - 31.12.2027

Projektpartner:

Förderung: EFRE/JTF, SAB, Freistaat Sachsen 

Förderkennzeichen: 100729197

ALP-4-SiC

Atomlagenprozessierung für SiC für Anwendungen in der Photonik und Quantenkommunikation

Ziel des Gesamtvorhabens ist es, Prozesstechnologien mit atomarer Präzision für das Materialsystem Siliziumkarbid, insbesondere das Atomlagenätzen zu entwickeln und in den Herstellungsprozess photonischer Bauelemente zu integrieren.

Bei dem geplanten Demonstrator ist die Anwendung der ALE-basierten Prozess-technologie konkret für Ringresonatoren und Wellenleitern vorgesehen. Dabei können optische Verluste durch eine verbesserte Oberflächenqualität und eine verringerte Schädigungstiefe minimiert bzw. gänzlich vermieden werden, um die Effizienz des photonischen Bauelements erheblich zu steigern.

Pressemitteilung: Mikrophotonik trifft Mikroelektronik: Atomlagenprozessierung für quantenphotonische Schaltkreise auf Siliziumkarbidbasis

Projektlaufzeit: 01.09.2025 - 31.08.2027

Projektpartner:

Förderung: BMFTR, Bund; ALP-4-SiC wird im Rahmen des Programms „Wissenschaftliche Vorprojekte (WiVoPro)" des BMFTR gefördert.

Förderkennzeichen: 13N17313 

CampusZelle

Fraunhofer BatteryCampus Dresden

Ziel des Verbundvorhabens CampusZelle ist die Entwicklung einer innovativen Festkörperbatterie mit unikalen Leistungskenndaten für stationäre und mobile Anwendungen und gegenüber bisherigen Lösungen deutlich optimierter Sicherheit, volumetrischer Energiedichte, Schnellladefähigkeit und Nachhaltigkeit. 

Gleichzeitig ist es das Ziel des Vorhabens, die Kompetenzen der Forschungseinrichtungen des Fraunhofer BatterieCampus Dresden-Freiberg (Fraunhofer IWS, IKTS, FEP, IISB) entlang der Wertschöpfungskette der neuen Generation von Batteriezellen noch enger zu verknüpfen und Synergien zu heben.

Projektwebseite: www.battery-dresden.de

Projektlaufzeit: 11.11.2025 - 30.06.2028

Projektpartner:

Förderung: EFRE InfraProNet, SAB, Freistaat Sachsen 

Förderkennzeichen: 100787086