Die Pretzfeld-Story
Halbleiter aus der Fränkischen Schweiz
Nach dem zweiten Weltkrieg war die Firma Siemens auf der Suche nach neuen Standorten als Ersatz für das zerstörte Berlin. Bereits 1944 war der bekannte Physiker Walter Schottky mit seiner Familie von Berlin nach Pretzfeld umgezogen, einer der Gründe für die Eröffnung des Siemens-Labors im Schloss Pretzfeld 1946 unter der Leitung von Eberhard Spenke. Es war ein Glücksfall, dass mit Schottky und Spenke – ergänzt durch Heinrich Welker in Erlangen – gleich mehrere Physiker von internationalem Rang in der Region zusammenkamen. Dank ihnen erlangte die deutsche Halbleiterforschung in den 50er Jahren weltweite Bedeutung.
Das Jahrzehnt von 1946 bis 1956 wurde dabei von äußerst dynamischen Fortschritten geprägt. Wichtige Entwicklungen aus Pretzfeld aus dieser Zeit sind unter anderem das heute weltweit verwendete und als "Siemens-Prozess" bekannte Verfahren zur Gewinnung von Reinstsilizium und die Herstellung des ersten Silizium-Leistungsgleichrichters. Anfang der 50er Jahre wurden auch verschiedene Materialien bezüglich ihrer Eignung für Halbleiterbauelemente untersucht, darunter das bekannte Germanium. Allerdings war Germanium nicht für höhere Temperaturen geeignet. Siemens-Pretzfeld setzte – goldrichtig – auf Silizium, das dann weltweit seinen Siegeszug antrat.
Bis in die 80er Jahre arbeiteten die Forscherinnen und Forscher in Pretzfeld an Entwicklungen für die Leistungselektronik. 1990 erfolgte unter dem Namen eupec die Zusammenlegung des Siemens-Labors mit den Halbleiteraktivitäten der Firma AEG. Erst 2002 wurde der Standort aufgegeben. Heute erinnert nur noch die Walter-Schottky-Straße in Pretzfeld an die High-Tech-Vergangenheit des im Jahr 1145 erstmals urkundlich erwähnten Schlosses. Die in Pretzfeld begründeten Technologien stecken heute in jedem Smartphone, Laptop oder Fernseher, ebenso in jeder Solaranlage und in modernen Stromnetzen. Eine Energiewende wäre ohne diese Grundlagen nicht möglich.
Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB