Nutzertreffen "PVD, PECVD, Ätzen"

December 8, 2015

Fraunhofer IISB, Erlangen

PVD, PECVD, Ätzen

Oberflächenstrukturen bei großen offenen Flächen
René Puschmann, Fraunhofer IZM-ASSID

Strukturierung von TiAI
Nadja Grießbach, Fraunhofer IPMS

Degradation CESC AMAT Super-e
Steven Hoheisel, X-FAB Dresden GmbH & Co. KG

Performanceoptimierung der Applied Materials Super e Kammern
Cordula Pritz, Elmos Semiconductor AG

Plasma insitu Clean bei Metal DPS Anlagen

Mario Schmidpeter, Texas Instruments Deutschland GmbH

Diverse Themen Ätzen / PVD&PECVD

Franz Nilius, Micronas GmbH

Erhöhte Top-Via Widerstände durch unzureichende TiN-Barrierewirkung
Sebastian Schulze, IHP-Innovations for high performance microelectronics

Improved Imax (or reduced Electromigration) for Metal Lines

Dirk Wolansky, IHP-Innovations for high performance microelectronics

Adhesion problems of PECVD a-Si layers on Silicon Nitride
Marco Lisker, IHP-Innovations for high performance microelectronics

Thickness Variation in PETEOS
Helmut Schönherr, Infineon Technologies Austria AG

Einfluß der Divert Option beim PMD Prozeß

Cordula Pritz, Elmos Semiconductor AG

AlN Deposition Processes @ ENAS/ZfM

Sven Zimmermann, Zentrum für Mikrotechnologien, TU Chemnitz

Discussion on Wafer Bow Control in the More Than Moore World
Frank Michael Schulze, X-FAB Dresden GmbH & Co. KG

Handhabung von Cu in kombinierten CMOS und MEMS Linien
Volker Götz, X-FAB Semiconductor Foundries AG