21. Treffen der Nutzergruppe Heißprozesse und RTP

Begrüßung
Anton Bauer, Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie - IISB

300 mm NiSi and NiSiGe Thermal Processing in a Near-isothermal Cavity
M. Ouaknine, WaferMasters Europe Operations, France

Steam Oxidation in Mtsn's Atmos RTP System
T. Hülsmann, Mattson, Dornstadt

Selective Oxidation of Metal Gates in an RTP System
J. Niess, Mattson, Dornstadt

Laser Annealing von Power Devices
D. Friedrich, Fraunhofer-Institut für Siliziumtechnologie - ISIT, Itzehoe & P. Oesterlin, INNOVAVENT GmbH, Göttingen

Dotieren von Silicium aus einer Oberflächenbelegung mit Phosphor in einem Kurzzeitprozess
B. Kalkofen, Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg

Microscopic 4PP Measurements
B.S. Hansen, CAPRES A/s, Kongens Lyngby, Denmark

Laser Annealing Process Control by Photoluminescence and Photothermal Heterodyne Measurements
K. Schulz, JenaWave GmbH, Jena

Quantitative Determination of Interface State Density and Insulator Charge by a Photocurrent Spectroscopy Method
M. Rommel, Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie, Erlangen

Diskussionsforum