22. Treffen der Nutzergruppe Heißprozesse und RTP

Begrüßung
Anton Bauer, Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie - IISB

Vorstellung des Forschungszentrums Dresden-Rossendorf
Wolfgang Skorupa, FZD, Dresden

Photoelastische Bewertung von Laserausheilprozessen in SOI-Wafern
Kristian Schulz, JenaWave GmbH

Advanced Activation and Deactivation of Arsenic Implanted Ultrashallow-Junctions Using Flash and Spike + Flash Annealing
Wilfried Lerch, Mattson

Laser Activated Radical Generation in Rapid Thermal Processing
Ulrich Abelein, Universität der Bundeswehr München

Laser Solutions for Annealing
Jan Brune, Coherent GmbH

Atomic Layer Processing for Future Process Technology
Detlef Bolze, IHP

Responding of WaferMasters to the New Requirements, Concepts & Guidelines for RTP Semiconductor Manufacturing Equipments
Michel Ouaknine, WaferMasters Europe Operations

Sacrificial Deuterium Passivation for Improved Interface Engineering in Gate Stack Processing
Zsolt Nenyei, Mattson

Highly Reliable Rapid Thermal Selective Gate Re-Oxidation Process of Advanced Metal Gate Stacks with Tungsten Electrode
Jürgen Nieß, Mattson

Pattern-Dependent Heating of 3-D Structures
Xavier Pagès, ASM

Faserkeramische Materialien - Tor zu besseren RTP-Anlagen
Klaus Funk, Net-Work International Consulting

Diskussionsforum