24. Treffen der Nutzergruppe Heißprozesse und RTP

Begrüßung
Anton Bauer, Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie - IISB

Vorstellung von ELMOS
Janina Rosenbaum, ELMOS, Dortmund

Optimised Process Gas Distribution in Mattson RTP Systems
Georg Roters, Mattson, Dornstadt

Diffusionsunterdrückung etc. bei der elektrischen Aktivierung von implantiertem Ge und Si-SOI
Wolfgang Skorupa, Forschungszentrum Dresden-Rossendorf

Advanced Activation Trends for Boron and Arsenic by Combinations of Single, Multiple Flash Anneals and Spike Rapid Thermal Annealing
Wilfried Lerch, Mattson, Dornstadt

Waferverzerrungen nach RTO
Christian Grunwald, ELMOS, Dortmund

Analysis of Microwave Annealed Implanted Layers with TWIN
Hans Geiler, JenaWave, Jena

Laser Annealing - Some Fundamental Considerations for Semiconductor Processing
Klaus Funk, Net-Work Consulting, Ottobrunn

Laser-Based Thermal Processes for IC and Photovoltaic Device Manufacturing
Simon Rack, Excico, Hasselt/Belgien

Si-Surface Preparation and Passivation by Vapour Phase of Heavy Water
Andrea Pap, MFA, Budapest/Ungarn & Zsolt Nényei, Mattson, Dornstadt

High-K: Latest Development and Perspectives
Anton Bauer, Fraunhofer IISB, Erlangen

Diskussionsforum