30. Treffen der Nutzergruppe Heißprozesse und RTP

Begrüßung
Anton Bauer, Fraunhofer-Institut für integrierte Systeme und Bauelementetechnologie (IISB), Erlangen
Wilfried Lerch, centrotherm thermal solutions, Blaubeuren

Vorstellung der Firma centrotherm
Peter Fath, centrotherm PV AG

Liquid Phase Processing in the Millisecond Range for III-V Heterostructures in Silicon
Wolfgang Skorupa, Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf

Hochtemperatur Annealing von SiC-Wafern bis 150 mm
Peter Benkart, centrotherm thermal solutions, Blaubeuren

Millisecond Annealing for Advanced Semiconductor Device Applications
Silke Hamm, Mattson Thermal Products GmbH, Dornstadt

Old made New – Ripple Pyrometry for Flash Lamp Annealing
Denise Reichel, Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf

Enabling Strategies in Semiconductor Processing
Wilfried Lerch, centrotherm thermal solutions, Blaubeuren

Niedertemperatur Oxidation mit Hilfe eines Mikrowellen-Plasmas
Jürgen Nieß, HQ-Dielectrics GmbH, Dornstadt

Photoelastische Charakterisierung direkt gebondeter Si-Wafer mit SIRD
Kristian Schulz, JenaWave GmbH, Jena

Abschlussdiskussion

Produktionsbesichtigung centrotherm