31. Treffen der Nutzergruppe Heißprozesse und RTP

Begrüßung
Anton Bauer, Fraunhofer-Institut für integrierte Systeme und Bauelemen

Microwave Interaction with Materials & Semiconductor Wafer Processing
Gerald P. Wiltsche, Euris GmbH, München

Texture and Grain-size Improvement of Flash-lamp Processed Silicon Films on Glass Substrates
Robert Endler, Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf

Nanoscale Electrical Characterization of High-k Dielectrics
Mathias Rommel, Fraunhofer IISB, Erlangen

Plasmaunterstütztes Wafer-Level-Bumping auf 300 mm-Wafer
Stefan Moosmann, centrotherm thermal solutions, Blaubeure

Führung durch das Testzentrum für Elektrofahrzeuge

Issues to Gate Oxides Grown on 4H-SiC
Anton Bauer, Fraunhofer IISB, Erlangen

Atomlagenabscheidung - der ideale Prozess?
Martin Lemberger, Fraunhofer IISB, Erlangen

Abschlussdiskussion