34. Treffen der Nutzergruppe Heißprozesse und RTP

6. November 2013

IHP GmbH, Frankfurt (Oder)

Tagesordnung

Begrüßung
Anton Bauer, Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie (IISB), Erlangen
Wilfried Lerch, centrotherm photovoltaics AG, Blaubeuren

Kurzvorstellung IHP GmbH
Wolfgang Mehr, IHP, Frankfurt (Oder)

Flash-Lamp-Annealing for Enhanced Atomic Layer Deposition Processes
Thomas Henke, Institut für Halbleiter- und Mikrosystemtechnik (IHM), TU Dresden

Blitzlampenequipment und Anwendungen am Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf
Günter Schmidt, FHR Anlagenbau, Ottendorf-Okrilla; Thomas Schumann, Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf

Eignung der Ripple Pyrometrie für die hintergrundkorrigierte Temperaturmessung während der Blitzlampenausheilung
Denise Reichel, Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf

Low-Temperature Oxidation/Nitridation Processes Enabling Advanced Junctions
Wilfried Lerch, centrotherm photovoltaics AG, Blaubeuren

Application of Atomic Layer Deposited Dopant Sources for Ultra-Shallow Doping of Silicon
Bodo Kalkofen, Lehrstuhl Halbleitertechnologie, Universität Magdeburg

Supraleitende Schichten in Ga-implantiertem Si und Ge
Jan Fiedler, Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf

Nächstes Treffen:

Mittwoch, 2. April 2014

Fraunhofer IISB, Erlangen