38. Treffen der Nutzergruppe Heißprozesse und RTP

25. November 2015

Infineon Technologies AG, Regensburg

Tagesordnung

Begrüßung
Anton Bauer, Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie (IISB), Erlangen
Wilfried Lerch, centrotherm photovoltaics AG, Blaubeuren

Kurzvorstellung Infineon Technologies
Klaus Kerkel, Infineon Technologies, Regensburg

GeSn: Wachstum und Bauelementprozesse
Inga Anita Fischer, Institut für Halbleitertechnik, Universität Stuttgart

Rear side versus front side flash lamp annealing in Ge-wafers
Wolfgang Skorupa, Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf

First results of Ge oxidation with the PlasmoxLT
Wilfried Lerch, centrotherm photovoltaics, Blaubeuren

Helios XP 200
Hannah Krasser, Mattson Thermal Products, Dornstadt

Levitor’s conductive RTP for uniform and repeatable process results
Xavier Pagès, Levitech, Almere/Niederlande

Evaluierung eines Hochtemperatur-Oxidationsofens mit Hilfe von Oxidationsexperimenten auf Silicium und SiC
Martin Haueise, centrotherm photovoltaics, Blaubeuren

Photoelastic characterization of point-like stress sources in silicon wafers by SIRIS and SIREX
Martin Herms, PVA Metrology ans Plasma Solutions, Jena

Nächstes Treffen:

am 6. April 2016

Fraunhofer IISB, Erlangen