Fraunhofer Institute for Integrated Systems and Device Technology IISB
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42. Treffen der Nutzergruppe Heißprozesse und RTP

8. November 2017

Vishay Siliconix Itzehoe GmbH, Itzehoe

Tagesordnung

Begrüßung
Anton Bauer, Fraunhofer IISB, Erlangen
Wilfried Lerch

Vorstellung der Vishay Siliconix Itzehoe GmbH
Markus Horn, Vishay Siliconix, Itzehoe

Vorstellung des Fraunhofer-Institutes für Siliziumtechnologie ISIT
Frank Dietz, Fraunhofer ISIT, Itzehoe

Vorstellung der Heizprozessbereiche der VSIG
Yves Ritterhaus, Vishay Siliconix, Itzehoe

Particle Reduction, Silicon Boat for LPCVD Nitride
Malte Keiser, Vishay Siliconix, Itzehoe

In-line Inspection of Crystalline Defects Related to Ion Implantation and Annealing
David Cseh, Semilab Germany GmbH, Budapest, Ungarn

GaN on Si
Xavier Pagès, Levitech, Almere, Niederlande

High-k Metal Gate Stacks with Ultrathin Interface Layers Formed by Low Temperature Microwave Plasma Oxidation
Jürgen Nieß, HQ-Dielectrics GmbH; Dornstadt

Local Formation of III-V Nanocrystals in Si by Ion Implantation and Flash Lamp Annealing
Lars Rebohle, Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf