41. Treffen der Nutzergruppe Ionenimplantation

7. Mai 2009

Fraunhofer IISB, Erlangen

zusammen mit der Nutzergruppe Heißprozesse und RTP

Tagesordnung

Begrüßung
Anton Bauer, Heiner Ryssel, Fraunhofer IISB, Erlangen

Kontakt-Silizide für aktuellste und künftige Technologie-Knoten
Jürgen Nieß, Mattson, Dornstadt

Temperaturmessung in RTP
Denise Reichel, Forschungszentrum Dresden-Rossendorf

Anodische Phosphor-Silicatabscheidung auf Solarzellenwafer: die billigste Art zu dotieren
Friedrich Kröner, Infineon, Österreich

SIMS Applications in Photovoltaics
Hans-Ulrich Ehrke, CAMECA, Unterschleißheim

Photoelastische Scherspannungsmessungen am Kontaktloch in PV-Solarzellen
Hans Geiler, JenaWave, Jena

Plasma Implantation and Laser Annealing
Yannick Cizeron, Ion Beam Services, Jena

Excimer Lasers for Annealing
Ralph Delmdahl, Coherent, Göttingen

Derzeitige Aktivitäten der X-FAB Erfurt im Bereich Implantation
Lutz Ende, X-FAB, Erfurt

Advances in Solar PV Thin Film Technology
Karl-Heinz Stegemann, VP Technology, Dresden

Diskussion zur zukünftigen Ausrichtung der Nutzergruppen Heißprozesse und Ionenimplantation