52. Treffen der Nutzergruppe Ionenimplantation

Begrüßung
Heiner Ryssel, Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie (IISB), Erlangen

Kurzvorstellung Infineon Technologies
Ralf Zedlitz, Infineon Technologies, Dresden

Zusammenfassung IIT
Werner Schustereder, Infineon Technologies, Villach/Österreich & Alexander Scheit, IHP, Frankfurt (Oder)

Simulation of AsH₃ Plasma Immersion Ion Implantation into Silicon
Alex Burenkov, Fraunhofer IISB, Erlangen

Hyperdoping of Semiconductors for CMOS Compatible High-Speed Optoelectronics
Slawomir Prucnal, Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf (HZDR)

Out-Diffusion of Cesium and Rubidium from Amorphized Silicon during Solid-Phase Epitaxial Regrowth
Volker Häublein, Fraunhofer IISB, Erlangen

Structural investigations of textured silicon after ion implantation
Jan Krügener, Leibniz Universität Hannover

Material Effects in Proton Implantation
Werner Schustereder, Infineon Technologies, Villach/Österreich

Using SuperScan II^TM to Improve Vt Variations in a p-channel Power MOSFET Device
Yves Ritterhaus, Vishay Siliconix, Itzehoe

Energy Calibration on High Energy Implanters
Claudio Spaggiari, Axcelis Technologies Srl, Agrate Brianza/Italien

Wafer 17-Effekt
Alexander Scheit, IHP, Frankfurt (Oder)

Vorstellung der X-FAB
Lutz Ende & Andreas Rödel, X-FAB, Erfurt & Dresden