Treffen der Nutzergruppen "Ionenimplantation" und "Heißprozesse & RTP"

Begrüßung
Jörg Schulze, Fraunhofer IISB, Erlangen
Anton Bauer, Fraunhofer EMFT, München
Volker Häublein, Fraunhofer IISB, Erlangen
Wilfried Lerch, Fraunhofer EMFT, München

Ionen Implantation in GaN
Karl-Heinz Stegemann, ehemals X-FAB

Einsatz und Nutzen von Beam Guide Gas in Axcelis GSD Hochstromanlagen
Tobias Weindler & Klaus Kerkel, Infineon Technologies, Regensburg

Using FDC to Identify Root Causes of Implantation Stripe Signatures
Fabian Goßler, X-FAB, Dresden

Ion Implantation by IBS
Cyrille Guillou & Stephane Morata, Ion Beam Services, Peynier/France

Novel Ion Implantation Approach for SiC and Si Power Devices Production
Takashi Kuroi, Nissin Ion Equipment, Kyoto/Japan

Uptime Subatmospheric Gas Delivery Systems
Klaus Hege, Linde Electronics, Pullach

Implantations-Anforderungen für die Quantentechnologie mit Farbzentren
Christian Gobert, Fraunhofer IISB, Erlangen

Vorstellung der Firma Inficon
Veit Mickan, Inficon, Ottendorf-Okrilla

HemeraHT: Erste Ergebnisse
Alexander Scheit, IHP, Frankfurt (Oder)

Thermal Budget Reduction on Helios V RTP Tool
Silke Hamm, Mattson Thermal Products, Dornstadt

Diodenlaser-Array-Funktionalisierung gedruckter Strukturen im Millisekundenbereich für neuartige Material- und Eigenschaftskombinationen
Mykola Vinnichenko, Fraunhofer IKTS, Dresden

Flash Lamp Annealing of GaN
Lars Rebohle, Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf, Dresden

Improved Temperature Measurement Concept for Next Generation Helios Systems
Thorsten Huelsmann, Mattson Thermal Products, Dornstadt