Press Releases

Der bayerische Wirtschaftsminister Hubert Aiwanger hat am 10. April 2025 das neue Technologiezentrum des Fraunhofer IISB zur Erforschung kontaktloser Energieübertragung für elektrische Fahrzeuge eröffnet und die Förderurkunde übergeben. Das E|Road-Center ist ein weiterer Baustein im Hightech-Spektrum des Cleantech Innovation Parks in Hallstadt bei Bamberg.

One year of (U)WBG metrology joint lab with Semilab: the set-up for WBG, SiC and GaN characterization at the IISB is completed Our joint lab with Semilab ZRT now enables us to cover the complete portfolio for metrology and inspection for wide-bandgap wafers - from epitaxy to processed devices

Der Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente (LEB) der FAU Erlangen-Nürnberg feiert heute seinen 40. Geburtstag und wir gratulieren herzlich! Das Fraunhofer IISB und der LEB haben tiefe gemeinsame Wurzeln und uns verbindet nicht nur eine fachliche Zusammenarbeit, sondern auch ein freundschaftliches Verhältnis.

Am 20. März 2025 hat Wirtschaftsminister Hubert Aiwanger die Urkunden für den bayerischen Förderanteil an den EU-Chips-Act-Pilotlinien an die beteiligten Fraunhofer-Institute übergeben.

Here it is - our low-defect 2-inch aluminum nitride crystal from Fraunhofer IISB.

Silicon carbide (SiC) provides considerable technical advantages for power electronics - however, the costs are still a drawback. In the »ThinSiCPower« research project, a consortium of Fraunhofer Institutes is developing key technologies to reduce material losses and device thickness while increasing the thermomechanical stability of the assembled SiC chips. The savings achieved are expected to help further accelerate the market development of efficient SiC power electronics.

Am 12. Februar 2025 fand die feierliche Eröffnung des neuen Innovationszentrums im Cleantech Innovation Park in Hallstadt statt. Eine innovative Hightech-Location, die die Stärken und Akteure aus der ganzen Metropolregion Nürnberg zusammenbringt.

We are expanding our electric powertrain research activities and placing an even greater focus on electric machines, to which we are now dedicating a specialist group.

Award-winning highly parallelized rigorous-physical mask solver for high-speed computational lithography.

At the IISB, we've just installed a new tool to investigate and optimize doping processes for wide-bandgap (WBG) and ultra-wide-bandgap (UWBG) semiconductor substrates.