Press Releases

Reset
  • Fraunhofer IISB at PCIM Europe in Nuremberg, May 6-8, 2025 / 2025

    Wide-Bandgap (WBG) Semiconductors and Power Electronics

    Short Message / May 15, 2025

    Every year at PCIM Europe, Fraunhofer IISB presents its complete portfolio of research activities along the value chain for power electronics. The spectrum ranges from basic materials, semiconductor devices and process technologies, power electronic modules and components to complete power electronic and energy systems. This year's focus was on aviation electronics. Join us for a retrospective of our exhibition booth and conference activities.

    more info
  • Cleantech Innovation Park in Hallstadt wächst weiter / 2025

    Kontaktlose Energieübertragung für Elektrofahrzeuge –
    E|Road-Center als neuer Forschungsstandort in Franken

    Pressemitteilung / April 11, 2025

    © Daniel Karmann / Fraunhofer IISB

    Der bayerische Wirtschaftsminister Hubert Aiwanger hat am 10. April 2025 das neue Technologiezentrum des Fraunhofer IISB zur Erforschung kontaktloser Energieübertragung für elektrische Fahrzeuge eröffnet und die Förderurkunde übergeben. Das E|Road-Center ist ein weiterer Baustein im Hightech-Spektrum des Cleantech Innovation Parks in Hallstadt bei Bamberg.

    more info
  • Auch dieses Jahr haben wir wieder mit viel Freude einen bunten Erlebnistag für junge Forscherinnen zusammengestellt. Begleitet von unseren Wissenschaftlerinnen und Wissenschaftlern konnten sich Schülerinnen in echten Labors ausprobieren und live MINT-Berufsfelder kennenlernen.

    more info
  • One year of (U)WBG metrology joint lab with Semilab: the set-up for WBG, SiC and GaN characterization at the IISB is completed Our joint lab with Semilab ZRT now enables us to cover the complete portfolio for metrology and inspection for wide-bandgap wafers - from epitaxy to processed devices

    more info
  • Silicon carbide (SiC) provides considerable technical advantages for power electronics - however, the costs are still a drawback. In the »ThinSiCPower« research project, a consortium of Fraunhofer Institutes is developing key technologies to reduce material losses and device thickness while increasing the thermomechanical stability of the assembled SiC chips. The savings achieved are expected to help further accelerate the market development of efficient SiC power electronics.

    more info