Pressemitteilungen

Auf der PCIM Europe präsentiert das Fraunhofer IISB jedes Jahr sein gesamtes Portfolio an Forschungsaktivitäten entlang der Wertschöpfungskette für Leistungselektronik. Das Spektrum reicht von Grundmaterialien über Halbleiterbauelemente und Prozesstechnologien, leistungselektronische Module und Komponenten bis zu kompletten Elektronik- und Energiesystemen. Eines der Highlight-Themen im Jahr 2025 war die elektrische Luftfahrt. Schauen Sie mit uns auf unseren Messestand und unsere Konferenzaktivitäten zurück.

We're really proud to announce that our colleague Lena Köhler from our Data Analytics Group has been honored for her work on cognitive power electronics. The award was presented by Prof. Leo Lorenz, president of @ECPE.

Der bayerische Wirtschaftsminister Hubert Aiwanger hat am 10. April 2025 das neue Technologiezentrum des Fraunhofer IISB zur Erforschung kontaktloser Energieübertragung für elektrische Fahrzeuge eröffnet und die Förderurkunde übergeben. Das E|Road-Center ist ein weiterer Baustein im Hightech-Spektrum des Cleantech Innovation Parks in Hallstadt bei Bamberg.

Auch dieses Jahr haben wir wieder mit viel Freude einen bunten Erlebnistag für junge Forscherinnen zusammengestellt. Begleitet von unseren Wissenschaftlerinnen und Wissenschaftlern konnten sich Schülerinnen in echten Labors ausprobieren und live MINT-Berufsfelder kennenlernen.

One year of (U)WBG metrology joint lab with Semilab: the set-up for WBG, SiC and GaN characterization at the IISB is completed Our joint lab with Semilab ZRT now enables us to cover the complete portfolio for metrology and inspection for wide-bandgap wafers - from epitaxy to processed devices

Der Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente (LEB) der FAU Erlangen-Nürnberg feiert heute seinen 40. Geburtstag und wir gratulieren herzlich! Das Fraunhofer IISB und der LEB haben tiefe gemeinsame Wurzeln und uns verbindet nicht nur eine fachliche Zusammenarbeit, sondern auch ein freundschaftliches Verhältnis.

Am 20. März 2025 hat Wirtschaftsminister Hubert Aiwanger die Urkunden für den bayerischen Förderanteil an den EU-Chips-Act-Pilotlinien an die beteiligten Fraunhofer-Institute übergeben.

Here it is - our low-defect 2-inch aluminum nitride crystal from Fraunhofer IISB.

Siliziumkarbid bietet für die Leistungselektronik erhebliche technische Vorzüge – ein Nachteil sind nach wie vor die Kosten. Im Forschungsprojekt »ThinSiCPower« entwickelt ein Konsortium von Fraunhofer-Instituten Schlüsseltechnologien, mit denen Materialverbrauch und Bauelementdicke reduziert und gleichzeitig die thermomechanische Stabilität der aufgebauten SiC-Chips erhöht wird. Die erzielten Einsparungen sollen dazu beitragen, die Markterschließung für effiziente SiC-Leistungselektronik weiter zu beschleunigen.

Am 12. Februar 2025 fand die feierliche Eröffnung des neuen Innovationszentrums im Cleantech Innovation Park in Hallstadt statt. Eine innovative Hightech-Location, die die Stärken und Akteure aus der ganzen Metropolregion Nürnberg zusammenbringt.