Aluminiumnitrid (AlN) ist ein sog. UWBG-Halbleitermaterial mit hervorragenden physikalischen Eigenschaften. Erstmals in Europa demonstrieren deutsche Forschungspartner eine Wertschöpfungskette für Leistungshalbleiter mit AlN. Bauelemente auf einkristallinen AlN-Wafern erreichen eine hohe stabile Leistungsdichte, Effizienz und Zuverlässigkeit. FHB, Fraunhofer IISB und die III/V-Reclaim arbeiten daran, die AlN-Technologie für die Industrie zugänglich zu machen.
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