Pressemitteilungen

Good vibes only at our summer party to celebrate the 40th anniversary of the IISB! Yesterday, we were all invited to a big birthday party - made by us, for us and our families.

We cordially congratulate our prize winners Gudrun Weidauer, Daniel Joch, Thomas Lang and Tom Becker from the R&D Semiconductor Devices Department and Dr. Hubert Rauh, Manuel Seidenath and Adem Erboga from the Power Electronics Department!

Small cube, big impact: our colleague Susanne Beuer from our Front End Department has developed a practical solution for quality and process control in semiconductor technology production. For her work, Susanne has now been honored with the IISB R&D Award.

Auf der PCIM Europe präsentiert das Fraunhofer IISB jedes Jahr sein gesamtes Portfolio an Forschungsaktivitäten entlang der Wertschöpfungskette für Leistungselektronik. Das Spektrum reicht von Grundmaterialien über Halbleiterbauelemente und Prozesstechnologien, leistungselektronische Module und Komponenten bis zu kompletten Elektronik- und Energiesystemen. Eines der Highlight-Themen im Jahr 2025 war die elektrische Luftfahrt. Schauen Sie mit uns auf unseren Messestand und unsere Konferenzaktivitäten zurück.

Ganz im Sinne dieses Mottos war es uns eine Ehre, am 15. Mai 2025 mit hochkarätigen Referenten, Partnern, Freunden und einem interessierten Fachpublikum aus Industrie und Wissenschaft unsere Jahrestagung 2025 zu begehen.

We're really proud to announce that our colleague Lena Köhler from our Data Analytics Group has been honored for her work on cognitive power electronics. The award was presented by Prof. Leo Lorenz, president of @ECPE.

Der bayerische Wirtschaftsminister Hubert Aiwanger hat am 10. April 2025 das neue Technologiezentrum des Fraunhofer IISB zur Erforschung kontaktloser Energieübertragung für elektrische Fahrzeuge eröffnet und die Förderurkunde übergeben. Das E|Road-Center ist ein weiterer Baustein im Hightech-Spektrum des Cleantech Innovation Parks in Hallstadt bei Bamberg.

Auch dieses Jahr haben wir wieder mit viel Freude einen bunten Erlebnistag für junge Forscherinnen zusammengestellt. Begleitet von unseren Wissenschaftlerinnen und Wissenschaftlern konnten sich Schülerinnen in echten Labors ausprobieren und live MINT-Berufsfelder kennenlernen.

One year of (U)WBG metrology joint lab with Semilab: the set-up for WBG, SiC and GaN characterization at the IISB is completed Our joint lab with Semilab ZRT now enables us to cover the complete portfolio for metrology and inspection for wide-bandgap wafers - from epitaxy to processed devices

Der Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente (LEB) der FAU Erlangen-Nürnberg feiert heute seinen 40. Geburtstag und wir gratulieren herzlich! Das Fraunhofer IISB und der LEB haben tiefe gemeinsame Wurzeln und uns verbindet nicht nur eine fachliche Zusammenarbeit, sondern auch ein freundschaftliches Verhältnis.

Am 20. März 2025 hat Wirtschaftsminister Hubert Aiwanger die Urkunden für den bayerischen Förderanteil an den EU-Chips-Act-Pilotlinien an die beteiligten Fraunhofer-Institute übergeben.

Here it is - our low-defect 2-inch aluminum nitride crystal from Fraunhofer IISB.

Siliziumkarbid bietet für die Leistungselektronik erhebliche technische Vorzüge – ein Nachteil sind nach wie vor die Kosten. Im Forschungsprojekt »ThinSiCPower« entwickelt ein Konsortium von Fraunhofer-Instituten Schlüsseltechnologien, mit denen Materialverbrauch und Bauelementdicke reduziert und gleichzeitig die thermomechanische Stabilität der aufgebauten SiC-Chips erhöht wird. Die erzielten Einsparungen sollen dazu beitragen, die Markterschließung für effiziente SiC-Leistungselektronik weiter zu beschleunigen.

Am 12. Februar 2025 fand die feierliche Eröffnung des neuen Innovationszentrums im Cleantech Innovation Park in Hallstadt statt. Eine innovative Hightech-Location, die die Stärken und Akteure aus der ganzen Metropolregion Nürnberg zusammenbringt.

Wir bauen unsere Forschungsaktivitäten im Bereich der elektrischen Antriebe aus und fokussieren uns noch stärker auf elektrische Maschinen, denen wir nun eine eigene Gruppe widmen.

Award-winning highly parallelized rigorous-physical mask solver for high-speed computational lithography.

At the IISB, we've just installed a new tool to investigate and optimize doping processes for wide-bandgap (WBG) and ultra-wide-bandgap (UWBG) semiconductor substrates.

Wir gratulieren Leonard Kuhn zum Energiepreis 2024 des Energie Campus Nürnberg (EnCN)!

The establishment of our industry-compatible joint lab with Semilab Zrt is progressing: we've just got an upgrade to the latest CnCV technology. The new advancements in non-contact corona charge C-V characterization enable a CnCV Kinetic mode to boost measurement speed and throughput - taking performance to the next level.

Der MDR war zu Gast am Fraunhofer IISB und hat für sein Format "Einfach Genial" einen spannenden Beitrag mit Tobias Raczok, Leiter Network und Communications bei EVOLONIC, gedreht. Mit an Board ist auch Adrian Sauer, Teamleiter Evolonic und Wissenschaftlicher Mitarbeiter in der Gruppe Luftfahrtelektronik am IISB.

Die Reparatur-Station ist vor allem ein Angebot für die stetig wachsende Zahl an Mitarbeitenden und Studierenden, die ihren Arbeitsweg zum Erlanger Südgelände mit dem Drahtesel zurücklegen. Neben einer manuellen Luftpumpe und einem Rahmenhalter stehen gängige Standardwerkzeuge zur Verfügung, die sich auch für kleinere Reparaturen an Rollstühlen oder Kinderwagen eignen.

Aluminiumnitrid (AlN) ist ein sog. UWBG-Halbleitermaterial mit hervorragenden physikalischen Eigenschaften. Erstmals in Europa demonstrieren deutsche Forschungspartner eine Wertschöpfungskette für Leistungshalbleiter mit AlN. Bauelemente auf einkristallinen AlN-Wafern erreichen eine hohe stabile Leistungsdichte, Effizienz und Zuverlässigkeit. FHB, Fraunhofer IISB und die III/V-Reclaim arbeiten daran, die AlN-Technologie für die Industrie zugänglich zu machen.

Fraunhofer IISB R&D Award 2024 Honors Outstanding Teamwork

Johannes Gehring, research scientist in the DC Grids Group of the Intelligent Energy Systems Department at Fraunhofer IISB has been honored with the Fraunhofer IISB R&D Award 2024 for his invention of an overcurrent limiting and detection unit (OLDU).

FastLane sets sail to boost European capabilities in engineered SiC substrates, monolithically and heterogeneously integrated power devices as well as assembly technologies. The aim is a system demonstration for drive train and energy applications.

Wide-bandgap (WBG) semiconductor technology and artificial intelligence together are revolutionizing power electronics. A new class of intelligent power electronic systems is unlocking new performance and application areas. The high demands of system development impact the entire power electronics value chain. Specifically, this applies to semiconductor materials and devices as well as packaging and module technology. Extreme operating and environmental conditions demand maximum reliability and ultra-high performance. At PCIM Europe 2024, Fraunhofer IISB, Fraunhofer ISIT and Fraunhofer IMS together present the entire value chain for next-generation power electronics.

"Who run the world? Girls!"

On April 18, 2024, Semilab Zrt. and Fraunhofer IISB announce the official kick-off of their strategic partnership. Within their new joint lab, located at the IISB in Erlangen, the partners develop state-of-the-art metrology and inspection solutions for (ultra-) wide-bandgap semiconductor materials. The goal is to take semiconductor metrology to a next level along the value chain, from base material to die. By bringing new features and tools from lab to market, new standards for SiC, GaN and other (U)WBG semiconductors will be set.

At the SPIE Optical Systems Design 2024 in Strasbourg, Valeriia Sedova was awarded third place for the Best Paper during the SPIE Conference on Computational Optics on April 10 - 11. At this Conference, Valeriia Sedova presented the paper "Advances in modeling and optimization for two-photon lithography". The decisive evaluation criteria for the papers were clarity of presentation, scientific merit, and potential innovative impact. The Best Paper Awards included a cash reward and an award certificate. With a focus on computation and modeling of various optical lithography techniques, including EUV, grayscale, and two-photon lithography, Valeriia has been serving as a researcher in the Lithography and Optics Simulation Department of the Modeling and Artificial Intelligence Division at Fraunhofer Institute for Integrated Systems and Device Technology IISB for the past four years.

In the paper "Milliseconds Power Cycling (PCmsec) Driving Bipolar Degradation in Silicon Carbide Power Devices", our colleague Sibasish Laha and his co-authors Jürgen Leib, Andreas Schletz, Martin Maerz, Christian Liguda, Firas Faisal and Davood Momeni describe an innovative approach to silicon carbide (SiC) power cycling.