Direktorium des Fraunhofer IISB vergibt Forschungs- und Entwicklungspreise 2021

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© Amelie Schardt / Fraunhofer IISB
Prof. Jörg Schulze, Institutsleiter des IISB, mit Einzelpreisträger Dr. Andreas Erdmann
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Prof. Jörg Schulze und Norman Böttcher, zweiter Preisträger eines Einzelpreises, der sich zum Zeitpunkt der Preisvergabe für einen Forschungsaufenthalt in Japan befindet
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Prof. Jörg Schulze und die Gewinner des Teampreises, Dr. Jürgen Leib und Dr. Tobias Erlbacher

Die jährlich vom Direktorium des Fraunhofer IISB vergebenen Forschungs- und Entwicklungspreise würdigen herausragende Leistungen von Kolleginnen und Kollegen. Im Jahr 2021 wurden zwei Einzelpreise und ein Teampreis verliehen.

Dr. Andreas Erdmann erhält einen Einzelpreis für die strategische Entwicklung der Lithographiesimulation, insbesondere der EUV-Lithographie

Als einer der vier Preisträger wurde Dr. Andreas Erdmann, Leiter der Gruppe Lithographie und Optik am Fraunhofer IISB, für seine strategische Entwicklung der Lithographiesimulation, insbesondere im Bereich der Extrem-Ultraviolett-Lithographie (EUV), geehrt. Von herausragender Bedeutung sind die neu entwickelten Modelle und Simulationstechniken. Sie ermöglichen ein tiefgreifendes Verständnis der lithographischen Maskeneffekte – ein wichtiger Schritt hinsichtlich der Zukunftsfähigkeit der EUV-Lithographie. Dieses Wissen um die sogenannten 3D-Maskeneffekte und die Identifizierung geeigneter neuer Arten von Absorbermaterialien sind für die Anwendung der EUV-Lithographie mit einer hohen numerischen Apertur (high-NA) entscheidend. Die High-NA-EUV-Lithographie wiederum ist eine Schlüsselkomponente für die Herstellung künftiger Generationen von Computerchips.

Norman Böttcher erhält einen Einzelpreis für die monolithische Integration eines selbstauslösenden 4H-SiC-Lasttrennschalters

Norman Böttcher wurde ein Einzelpreis für die Entwicklung eines neuartigen monolithisch integrierten 4H-SiC-Lasttrennschalters für 800-V-Gleichstrom-Anwendungen verliehen. Die 800-V-Fähigkeit macht den 4H-SiC-Lasttrennschalter zu einem passenden Bauteil in Anwendungsbereichen wie der E-Mobilität oder in Smart-Grid-Umgebungen. Die von Böttcher entwickelten innovativen Bauelemente ermöglichen einen selbsttätigen Betrieb und vereinen damit die Vorteile von mechanischen und Solid-State-Lasttrennschaltern in einem einzigen Halbleiterchip. An der Tokyo Metropolitan University konnte Norman Böttcher in internationaler Zusammenarbeit mit dem renommierten Leistungselektronik-Experten Prof. Keiji Wada die elektrische Leistungsfähigkeit demonstrieren.

Der Teampreis 2021 geht an Dr. Jürgen Leib und Dr. Tobias Erlbacher für die interdisziplinäre und abteilungsübergreifende nachhaltige Entwicklung von Spezialbauelementen im Kleinserienmaßstab

Den diesjährigen Teampreis erhielten Dr. Jürgen Leib, Leiter der Gruppe „Tests und Zuverlässigkeit“ in der Abteilung Hybride Integration, und Dr. Tobias Erlbacher, Leiter der Abteilung Halbleiterbauelemente, für ihre herausragende abteilungsübergreifende Zusammenarbeit im Projekt "Nachhaltige Entwicklung schnell schaltender Spezialbauelemente im Kleinserienmaßstab". Der Erfolg des Projekts ist das Ergebnis der einzigartigen vertikalen Integration des Fraunhofer IISB entlang der Wertschöpfungskette der Leistungselektronik. Um die Projektanforderungen ganzheitlich zu erfüllen, haben vier von sechs unserer Forschungsabteilungen eng und erfolgreich zusammengearbeitet. Jeder Schritt auf dem Weg zu einem funktionierenden elektronischen Bauelement wurde in unserem Institut abgedeckt: Wafermaterialentwicklung, simulationsgestützte Bauelementedesigns und -optimierung, Prozessentwicklung, Bauelementfertigung in unserer eigenen Waferfab für Silizium und Siliziumkarbid sowie Packaging.