Workshop "Abscheideverfahren und automatisierte Prozesskontrolle (APC)"

June 28, 2000

Fraunhofer IISB, Erlangen

Abscheideverfahren und automatisierte Prozesskontrolle (APC)

Low-k Materialien

Stand des Einsatzes von ultra low – k Materialien
Dr. Stefan E. Schulz, TU Chemnitz

Integration issues of low-k oxazole dielectrics
Dr. Recai Sezi, Infineon Technologies AG

CVD low-k Solutions for Cu Damascene
Christof Kurthen, Applied Materials GmbH

Low-k IMD films on Novellus Sequel Express
Dr. Christian Denisse, Novellus Systems BV

TI/TiN und Cu-Abscheidung

Novel metallization scheme using nitrogen passivated Ti-liner for AlCu based metallization
Norbert Urbansky, Infineon Technologies AG

In situ Ti/TiN Abscheidung
Dr. Hermann Wendt, Applied Materials GmbH, Infineon Technologies AG

Copper deposition for interconnects
Dr. Andreas Thies, Atotech

Copper/Coral Dual Damascene Process Integration
Dr. Christian Denisse, Novellus Systems BV

Advanced Process Control

Introduction of Advanced Process Control in High Volume Semiconductor Production
Dr. Hans-Peter Erb, Infineon Technologies AG

Algorithmen zur Auswertung hochdimensionaler Sensordaten für das Monitoring von Plasmaprozessen am Beispiel der optischen Emissionsspektroskopie
Jan Zimpel, Fraunhofer IVI, IITB

AEC/APC-Lösungen für die Meßtechnikintegration und Prozesskontrolle
Georg Roeder, Fraunhofer IISB

Self Excited Electron Plasma Resonance Spectroscopy
Dr. Wolfgang Rehak, ASI

Strategy of advanced process control at Trikon
Wolfram Girke, TRIKON Technologies GmbH

In situ Partikelmonitoring
Jürgen Fandrich, Applied Materials GmbH