Fraunhofer Institute for Integrated Systems and Device Technology IISB8. Dezember 2016
Fraunhofer IISB, Erlangen
gemeinsam mit der Nutzergruppe "Ionenimplantation"
40. Treffen der Nutzergruppe Heißprozesse und RTP
Tagesordnung
Begrüßung
Volker Häublein, Fraunhofer (IISB), Erlangen
Zusammenfassung IIT 2016
Lutz Ende, X-FAB Erfurt & Jan Krügener, Universität Hannover
Ion Implantation for Photovoltaic Applications: Review and Outlook for Silicon Solar Cells
Jan Krügener, Universität Hannover
Beam Purity and Contamination Issues for Implants into Si and III-V Devices
Michael Current, Silicon Genesis Corporation, San Jose / USA
E-Chuck Problem an der VIISTA900
Alexander Scheit, IHP, Frankfurt (Oder)
Wafer Stress Management for Millisecond Annealing
Markus Hagedorn, Mattson Thermal Products GmbH, Dornstadt
Flash Lamp Annealing of Transparent Conducting Oxides and other Thin Films
Lars Rebohle, Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf
Microwave Annealing for Dopant Activation, Damage Recovery and Strain Stabilization
Michael Current, Silicon Genesis Corporation, San Jose / USA
IIT 2018 in Würzburg
Heiner Ryssel, Fraunhofer IISB, Erlangen
Nächstes Treffen:
voraussichtlich am 29. März 2017 bei X-FAB in Erfurt