Treffen der GMM-Fachgruppe 1.2.6 "Prozesskontrolle, Inspektion & Analytik"

26./27. Februar 2009

am Fraunhofer IISB, Erlangen

Schwerpunktthema: "Kontamination in der Siliciumtechnologie"

Beiträge

Reinigung in der Halbleitertechnologie
Michael Otto, Fraunhofer IISB, Erlangen

Pt-Diffusion zur Optimierung des Schaltverhaltens bei Si-Leistungsdioden
Gerhard Schmidt, Infineon Technologies Austria AG, Villach

Kontaminationen in multikristallinem Silicium
Bianca Gründig-Wendrock, Solar World Innovations GmbH, Freiberg

Frequenzabhängige Kelvin Probe Messungen auf Si-Dotierungsprofilen
Anne-Dorothea Müller, Anfatec Instruments AG, Oelsnitz

Kontamination aufgrund von Masseninterferenzen in der Ionenimplantation
Volker Häublein, Fraunhofer IISB, Erlangen

Organic and Inorganic Contamination Analysis Using Time-of-Flight Secondary Ion Mass Spectrometry (TOF-SIMS) and Low-Energy Ion Scattering (LEIS)
Sven Kayser, ION-TOF GmbH, Münster

Referenzprobenfreie Kontaminationsbestimmungen durch Röntgen¬spektrometrie
Burkhard Beckhoff, Physikalisch-Technische Bundesanstalt, Berlin

WT-2500 for Silicon Material & Process Characterization
Thomas Jaehrling, Semilab, Budapest/Ungarn