Treffen der GMM-Fachgruppe 1.2.6 "Prozesskontrolle, Inspektion & Analytik"

Bestimmung von Elementverunreinigungen in Gasen der Halbleiterindustrie mit ICP-MS, insbesondere von Spurenverunreinigungen anderer Element Hydride in Arsin mittels GC-ICP-QQQ
Jörg Hansmann, Agilent Technologies Deutschland, Waldbronn

Ramanspektroskopische Charakterisierung an UWBG-Halbleitermaterialien
Christian Röder, Fraunhofer IISB - Standort THM, Freiberg

Charakterisierung von WBG- und UWBG-Materialien mittels orts- und spektralaufgelöster SPV
Nadine Schüler, Freiberg Instruments, Freiberg

Corona – Kelvin Probe for Measuring Doping Concentration and Defect Inspection of SiC
Robin Karhu, Fraunhofer IISB, Erlangen

MOS CV Messungen im nichtstationären Nichtgleichgewicht zur selbstkonsistenten Bestimmung der Interface- und Bulkeigenschaften von Oxid/Si/SGe/Si-Schichtstapeln
Roland Sorge, IHP - Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik, Frankfurt (Oder)

Hybrid SIMS: New Adaptive Ion Injection System (AIIS) for Improved Repeatability of Quantitative Orbitrap™ SIMS Measurements
Sven Kayser, IONTOF, Münster

Röntgentopographische Methoden zur Qualitätskontrolle in monokristallinem Gallium- und Aluminiumnitrid
Roland Weingärtner, Fraunhofer IISB, Erlangen

Speeding up XRT Defect Recognition for SiC
Paul Wimmer, Fraunhofer IISB, Erlangen

Betrachtungen zur photo-elastischen Konstanten von Halbleitermaterialien in Theorie und Experiment
Martin Herms, PVA Metrology & Plasma Solutions, Wettenberg

Stand und Aufgaben bei Analysemethoden als Dienstleistung
Gerald Dallmann, SGS INSTITUT FRESENIUS, Dresden

(U)WBG-Aktivitäten am Fraunhofer IISB
Jörg Schulze, Fraunhofer IISB, Erlangen