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Dr. Julietta Förthner erhält STAEDTLER-Promotionspreis

© Julietta Förthner / Fraunhofer IISB
Dr. Julietta Förthner, Mitarbeiterin in der Gruppe "Siliziumkarbid und verwandte Materialien" der Abteilung Materialien am Fraunhofer IISB, wurde für Ihre Dissertation "Laterale und vertikale Ladungskompensationsstrukturen in 4H-Siliziumkarbid" mit dem Promotionspreis der STAEDTLER-Stiftung ausgezeichnet.

Dr. Julietta Förthner, Mitarbeiterin in der Gruppe "Siliziumkarbid und verwandte Materialien" der Abteilung Materialien am Fraunhofer IISB, wurde mit einem Promotionspreis der STAEDTLER-Stiftung ausgezeichnet.

Die STAEDTLER-Promotionspreise würdigen seit 1999 regelmäßig herausragende Leistungen junger Wissenschaftlerinnen und Wissenschaftler der Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg (FAU).

Vor ihrer Tätigkeit am IISB promovierte Dr. Julietta Förthner im Rahmen eines DFG-Projektes am Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente (LEB) der FAU mit dem Thema "Laterale und vertikale Ladungskompensationsstrukturen in 4H-Siliziumkarbid".

Lehrstuhlinhaber des LEB ist Prof. Jörg Schulze, Institutsleiter des Fraunhofer IISB, und die Promotion wurde von Priv.-Doz. Dr. Tobias Erlbacher, auch Leiter der Abteilung Halbleiterbauelemente am Fraunhofer IISB, fachlich betreut.  

In ihrer Dissertation (https://nbn-resolving.org/urn:nbn:de:bvb:29-opus4-148847) untersuchte Dr. Julietta Förthner fortschrittliche Herstellungsverfahren für Siliziumkarbid-Halbleiterbauelemente (SiC).
Auf der Grundlage experimenteller Versuche entwickelte sie zunächst ein Modell für die Herstellung von sogenannten Ladungskompensationsstrukturen im Halbleiter.
Das neue Modell basiert auf den physikalischen Effekten im Halbleiter und berücksichtigt die im Halbleitermaterial und bei der Bauelementherstellung auftretenden Materialdefekte.
Mit ihrem Modell konnte Dr. Julietta Förthner erfolgreich eine Technologie für die Herstellung von elektronischen Ladungskompensationsbauelementen auf SiC-Substraten beschreiben und präzise die dafür notwendigen Prozessparameter definieren.
Auf dieser Basis gelang es ihr, mit der umfangreichen Prozesstechnik des Reinraumlabors am LEB eigene Siliziumkarbid-Leistungsbauelemente herzustellen und elektrisch zu charakterisieren.

Die von Dr. Julietta Förthner durchgeführten Untersuchungen ermöglichen besonders verlustarme SiC-Bauelemente mit hoher Spannungsfestigkeit unter Nutzung von Ladungskompensation.
Solche Bauelemente werden beispielsweise dringend in der elektrischen Energieübertragung und insbesondere für die Mittelspannungstechnik benötigt.
Mit der umfassenden technologischen Aufbereitung und Formulierung leistet die Arbeit von Dr. Julietta Förthner einen wichtigen Beitrag für die effizientere Bereitstellung von elektrischer Energie und zu CO2-Reduktion und Beschleunigung der Energiewende.