Treffen der GMM-Fachgruppe 1.2.6 "Prozesskontrolle, Inspektion & Analytik"

Analysis of Cu oxide films on Cu by Raman spectroscopy
Günther Ruhl, Infineon Technologies AG, Regensburg

NbN als vielversprechendes Material für Gateelektroden in zukünftigen hoch-e/Metall-Gatestapeln
Jörn Hinz, Fraunhofer IISB, Erlangen

Dikussion: Physikalische Chemie am Beispiel des "fliegenden Bors"
Friedrich Kröner, Infineon Technologies Austria AG, Villach/Österreich

Application of non-contact C-V / I-V metrology for characterization of advanced low and high k dielectrics
Thomas Jährling, Semilab Co. Ltd., Budapest/Ungarn

Ultra-thin Film Characterisation Using Low Energy Ion Scattering (LEIS)
Sven Kayser, ION-TOF GmbH, Münster

Charakterisierung nanoskaliger Materialsysteme mit Synchrotronstrahlung
Matthias Müller, Physikalisch-Technische Bundesanstalt, Berlin

Defect delineation by chemical etching techniques in silicon and engineered silicon substrates: Novel chemistries and basic aspects
Bernd Kolbesen, Institut für Anorganische und Analytische Chemie, Universität Frankfurt/Main

Root Cause finding of a Diode Leakage Failure using Scanning Magnetic Microscopy and ToF-SIMS as Key Methods
Harald Preu, Infineon Technologies AG, Regensburg

Using classical surface analytical techniques to characterize CMOS-compatible copper surfaces for Biosensor applications
Patrick Rostam-Khani, NXP Semiconductors, Nijmegen/Niederlange