Treffen der GMM-Fachgruppe 1.2.6 "Prozesskontrolle, Inspektion & Analytik"

Kurzvorstellung Fraunhofer IISB
Bernd Fischer, Fraunhofer IISB, Erlangen

Vorstellung der GMM
Ronald Schnabel, VDE/VDI-Gesellschaft Mikroelektronik, Mikrosystem- und Feinwerktechnik (GMM),Frankfurt (Main)

Recent advances in in-situ monitoring of PECVD and etch processes
Christian Camus, LayTec AG, Berlin

Partikelgrößen-Untersuchung an GaAs-Pulver mittels Rasterelektronen-Mikroskopie und Laserbeugung für die toxikologische Bewertung
Markus Zschorsch, Fraunhofer Technologiezentrum Halbleitermaterialien (THM), Freiberg

Nanotopographiemessung von Si Wafern
Alexander Tobisch, Fraunhofer IISB. Erlangen

Neueste Entwicklungen im Bereich der TOF-SIMS Tiefenprofilierung und der 3D SIMS/FIB Tomographie
Sven Kayser, ION-TOF GmbH, Münster

Photoelastic characterization of silicon–based devices and structures by the Scanning Infrared Explorer
Martin Herms, PVA TePla Metrology and Plasma Solutions GmbH, Jena

Spectroscopic Ellipsometry with Direct Imaging of the Measurement Site and Automated Selection of Spot Sizes
Roland Seitz, HORIBA Scientific, Unterhaching

Abbildende Defektlumineszenz-Messungen an 4H-SiC mittels UV-PL
Birgit Kallinger, Fraunhofer IISB, Erlangen

EBSD - Application of orientation microscopy in a semiconductor fab
Frank Renner, Infineon Technologies, Regensburg