Treffen der GMM-Fachgruppe 1.2.6 "Prozesskontrolle, Inspektion & Analytik"

Vorstellung "SiC Activities"
Anton Bauer, Fraunhofer IISB, Erlangen

Korrosion in leistungselektronischen Modulen
Christoph Bayer, Fraunhofer IISB, Erlangen

Charakterisierung von GaN-, Graphen- und Si-Schichten mittels in-situ-Reflektometrie und Eddy-Current-Messungen
Kolja Haberland, LayTec AG & Suragus, Berlin

Herausforderungen für die Analytik von Graphen
Günther Ruhl, Technische Hochschule Deggendorf, Spiegelau

Optical Methods for Layer Counting of 2D Materials
Andreas Hutzler, Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente, FAU, Erlangen

NanoRaman: the Tool for the New Semiconductor Materials
Jana Kalbacova, HORIBA Jobin Yvon GmbH, Bensheim

Dotierstoffanalytik an neuen Grundmaterialien
André Möller, SGS INSTITUT FRESENEIUS GmbH, Dresden

SIRD/SIREX - Experiment and Modelling
Martin Herms, PVA Metrology & Plasma Solutions GmbH, Jena-Maua

Hybrid SIMS: Neue Möglichkeiten der Identifizierung von organischen Kontaminationen
Sven Kayser, IONTOF GmbH, Münster

Optimierung des Punktdefekthaushalts hinsichtlich Lebensdauersteigerung in 4H-SiC mittels Deep Level Transient Spectroscopy (DLTS)
Jürgen Erlekampf, Fraunhofer IISB, Erlangen

New Tools for Failure Analysis of Semi-Conductor Structures by Atomic Force Microscopy: Advanced Spectroscopy Mapping for Current and Impedance
Hartmut Stadler, Bruker Nano Surfaces Division, Karlsruhe