Weitere Kristallmaterialien

Wir sind erfahren in der Züchtung und Charakterisierung einer Vielzahl anderer Halbleitermaterialien (Ge, GaAs, InP, CdTe) sowie von optischen, Laser- und Szintillatorkristallen (Saphir, LSO, YVO4, Y2O3, CaF2, CeBr3) durch verschiedene Schmelz- und Lösungszüchtungstechniken wie Bridgman, VGF oder THM. Wir unterstützen unsere Kunden bei der Entwicklung von Kristallzüchtungs- und Epitaxieanlagen und -prozessen basierend auf unserer breiten Materialkompetenz und durch numerische Simulation. Darüber hinaus bieten wir spezifische Charakterisierungsdienstleistungen von Kristall- und Wafermaterial an.

© Fraunhofer IISB
Fest-flüssig Phasengrenze in VGF-GaAs
© Kurt Fuchs / Fraunhofer IISB
Anlage zur Züchtung von Kristallen mittels VGF-Verfahren
© Fraunhofer IISB
Ätzgruben in einer Probe eines InP-VGF-Kristalls

Leistungen

  • Unterstützung bei der Entwicklung von Kristallzüchtungs- und Epitaxieanlagen durch thermische Simulationsrechnungen und unserer Expertise im Bereich des Einsatzes von in-situ-Messtechniken
  • Spezifische Kristallzüchtungsexperimente in speziellen F&E-Öfen im Haus und bei Partnern
  • Probenvorbereitung zur Analyse der Materialeigenschaften
  • Charakterisierung von strukturellen, optischen, physikalischen, chemischen und elektrischen Eigenschaften
  • Simulation von Wärme- und Stofftransportphänomenen einschließlich der Auswirkungen von Magnetfeldern
© Fraunhofer IISB
Testanlage für Materialprüfungen bei der Herstellung von Szintillator-Kristallen
© Fraunhofer THM
Polieren und defektselektives Ätzen zur Analyse der strukturellen Eigenschaften von Verbindungshalbleiterproben
© Fraunhofer IISB
Analyse von Kristallen und Wafern durch konfokale Lasermikroskopie

Kernthemen

Erkunden Sie unsere Aktivitäten in den Bereichen Kristallzüchtung, Epitaxie und Bauelementprozessierung einschließlich Charakterisierung und Modellierung

Publikationen

 

 

Broschüren