Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISBForschungsthemen
Wir entwickeln Epitaxieverfahren und Charakterisierungsmethoden für SiC-Leistungselektronik in enger Zusammenarbeit mit Substrat-, Geräte- und Bauelementherstellern. Unsere Ziele sind eine verbesserte Materialqualität, ein Verständnis der Auswirkungen von Defekten auf die Bauelementausbeute und -zuverlässigkeit durch Inline-Charakterisierung. Darüber hinaus untersuchen wir die Eignung von SiC für neue Anwendungen, z.B. als Sensormaterial oder für quantenelektronische Geräte.
Einer unserer Ansätze besteht darin, strukturelle Defekte in den Substraten und Epischichten während der Bauelementprozessierung zu analysieren und deren Einfluss auf die Leistungsfähigkeit und Zuverlässigkeit verschiedener SiC-Bauelementtypen zu klären. Ein weiterer Forschungsschwerpunkt ist die Bestimmung von Punktdefekten, die die Ladungsträgerlebensdauer begrenzen.
Unsere Wissenschaftler ergänzen die experimentelle Arbeit durch numerische Simulationen der Fluiddynamik, der Wärmeübertragung und des Massentransports einschließlich chemischer Reaktionen während des SiC-Bulk- und epitaktischen Wachstumsprozesses.
