Siliziumkarbid

Wir entwickeln den 150-mm-SiC-Epitaxieprozess mit Schwerpunkt auf verbesserter Materialqualität, dicken Epischichten, p-Dotierung und Minoritätsladungsträgerlebensdauer. Im Rahmen unseres 200-mm-SiC-Demolabors sind wir Pionier in der Epitaxie und dem Implant-Annealing auf 200-mm-SiC-Substraten. Modernste Messtechnik wie UV-PL oder XRT zusammen mit der Möglichkeit, komplette Bauelemente in unserer qualifizierten 150-mm-SiC-Linie herzustellen, ermöglichen es uns, die Eigenschaften der Epischicht und des Substrats mit elektrischen Bauelementeigenschaften zu korrelieren. Basierend auf diesen Erkenntnissen werden Lösungen aufgezeigt, wie schädliche Defekte beseitigt werden können.

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Verschiedene Versetzungstypen in SiC, visualisiert mittels defektselektivem Ätzen
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In-house-prozessierte SiC Leistungshalbleiterbauelemente
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Verteilung der Ladungsträgerlebensdauer von einer SiC Epitaxieschicht

Dienstleistungen

  • n- und p-Typ Service-Epitaxie auf 4H-SiC-Wafern (150 mm, 200 mm)
  • Herstellung von SiC-Bauelementen (z. B. JBS, VDMOS, Dioden, CMOS)
  • Korrelation von Materialfehlern mit Leistungsfähigkeit und Zuverlässigkeit der Bauelemente entlang der gesamten Wertschöpfungskette
  • Charakterisierung:
    • Abbildung von Strukturdefekten durch Röntgentopographie auf voller Waferfläche
    • Abbildung von Strukturfehlern durch kombinierte optische Oberflächen- und Photolumineszenzmappings auf voller Waferfläche
    • Defektselektives Ätzen
    • Messungen der Minoritätsladungsträgerlebensdauer
    • Deep-Level-Transient-Spektroskopie (DLTS)
    • mCV- und FTIR-Messungen
  • Simulation des Wärme- und Stofftransports für die SiC-Epitaxie und andere Hochtemperatur-SiC-spezifische Prozesse
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Eine Forscherin des Fraunhofer IISB lädt ein 100mm SiCEpiwafer in einen Defekt-Lumineszenzscanner
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Analyse der elektrischen Eigenschaften von SiC-Substraten u.a. durch Messung der Ladungsträgerlebensdauer sowie mittels DLTS.
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Abbildung von strukturellen Defekten in SiC-Substraten und Epitaxieschichten auf ganzer Waferfläche mit bis zu 200 mm Durchmesser durch Röntgentopographie.

Individuelle SiC Services

 

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TRANSFORM - Europäische SiC-Wertschöpfungskette für eine grünere Wirtschaft

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200-mm- und 150-mm-SiC-Wafer im Vergleich.

Das IISB baut mit dem europäischen Projekt TRANSFORM eine vollständige und äußerst wettbewerbsfähige europäische Lieferkette für Leistungselektronik auf Basis von Siliziumkarbid (SiC)-Leistungshalbleitern auf.

Die Partner im von der EU und dem BMBF geförderten ECSEL-Projekt TRANSFORM bauen eine äußerst wettbewerbsfähige europäische Lieferkette für die SiC-Leistungselektronik auf. Einen Schwerpunkt stellt hierbei die Entwicklung einer Halbleitertechnologie für künftige SiC-Substrate mit 200 mm Durchmesser dar, welche die Kosten für SiC-Leistungsbauelemente deutlich senken wird - aktuell sind Substrate mit 150 mm Durchmesser Stand der Technik.

Das IISB entwickelt im Joint Lab in enger Partnerschaft mit den Geräteherstellern

  • Prozesse für einen fortschrittlichen Multi-Wafer-SiC-Epitaxiereaktor der Firma Aixtron,
  • neuartige Anlagen zur Aktivierung von Implantationen und Substratoxidation der Firma Centrotherm,
  • sowie innovative Materialcharakterisierung mittels Röntgentopographie mit der Firma Rigaku.

Der enge wissenschaftliche Austausch bietet auch den im Projekt beteiligten Substrat- und Bauelementherstellern wertvolles Feedback, um den Übergang zu 200-mm-Technologien zu beschleunigen und die Qualität und Zuverlässigkeit der Substrate, Epitaxieschichten und Bauelemente weiter zu verbessern.

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Kernthemen

Erkunden Sie unsere Aktivitäten in den Bereichen Kristallzüchtung, Epitaxie und Bauelementprozessierung einschließlich Charakterisierung und Modellierung

Publikationen

Broschüren