Wir entwickeln den 150mm SiC Epitaxieprozess mit Schwerpunkt auf verbesserter Materialqualität, dicken Epischichten, p-Dotierung und Minoritätsladungsträgerlebensdauer. Im Rahmen unseres 200mm SiC Demolabors sind wir Pionier in der Epitaxie und dem Implant-Annealing auf 200mm SiC-Substraten. Modernste Messtechnik wie UV-PL oder XRT zusammen mit der Möglichkeit, komplette Bauelemente in unserer qualifizierten 150mm SiC-Linie herzustellen, ermöglichen es uns, die Eigenschaften der Epischicht und des Substrats mit elektrischen Bauelementeigenschaften zu korrelieren. Basierend auf diesen Erkenntnissen werden Lösungen aufgezeigt, wie schädliche Defekte beseitigt werden können.